Большая Советская Энциклопедия (ЭЛ)

  В состав периферийного оборудования входят запоминающие устройства: на магнитных барабанах (ёмкостью 2 и 16 Мбайт), на постоянных (несменяемых) магнитных дисках (100 Мбайт), со сменными пакетами магнитных дисков (7,25 и 29 Мбайт), на магнитных лентах (20—40 Мбайт) и на магнитных картах (125 Мбайт); устройства ввода — вывода данных: на перфолентах (скорость ввода 1000 и 1500 строк в сек, вывода — 100, 150, 200 строк в сек ), на перфокартах (ввод — 500, 1000, 1500, 2000 карт в мин, вывод— 100, 250 карт в мин ); алфавитно-цифровые печатающие устройства (скорость печати 600, 900 и 1100 строк в мин ), планшетные и рулонные графопостроители; устройства непосредственной связи человека-оператора с ЭВМ (алфавитно-цифровые и графические дисплеи, электрические пишущие машины). Отдельную группу составляют устройства подготовки данных.

  Для создания вычислительных систем коллективного пользования (см. Сеть вычислительных центров ) в составе ЕС ЭВМ имеются средства телеобработки данных, в том числе аппаратура передачи данных (модемы, устройства защиты от ошибок, вызывные устройства), устройства сопряжения каналов с аппаратурой передачи данных, абонентские пункты (терминалы ), оснащенные устройствами ввода — вывода информации и её отображения. Программное обеспечение ЕС ЭВМ реализуется в виде операционных систем, которые обеспечивают эффективное функционирование ЭВМ независимо от её конфигурации и характера решаемых задач, управляют прохождением заданий, повышают производительность ЭВМ за счёт реализации различных режимов её работы (например, мультипрограммного), распределяют вычислительные ресурсы между выполняемыми программами, контролируют работу технических средств. На основе ЕС ЭВМ можно создавать многопроцессорные н многомашинные комплексы для решения разнообразных задач в области организации, управления, планирования и учёта, обработки и анализа больших массивов информации, научных, технических и инженерных расчётов и т. д.

Основные характеристики ЭВМ единой системы

Параметры ЭВМ	Тип ЭВМ, страна-изготовитель, год разработки
ЕС-1010	ЕС-1020	ЕС-1021	ЕС-1030	ЕС-1040	ЕС-1050	ЕС-1022	ЕС-1032	ЕС-1033	ЕС-1060
ВНР, 1972	СССР, 1971	ЧССР, 1972	СССР, ПНР, 1971	ГДР, 1971	СССР, 1972	СССР, 1975	ПНР, 1975	СССР, 1977	СССР, 1977
Процессор:
производительность, тыс. операций в 1 сек	10	20	40	100	350	500	80	200	200	2000
разрядность	18	8	64	32	64	64	8	32	32	64
Оперативная память:
ёмкость, кбайт	8—64	64—256	16—64	256—512	128—1024	256—1024	128—512	128—1054	512—1024	2048—8192
цикл обращения, мксек	1,0	2,0	2	1,25	1,00	1,25	2	1,2	1,25	0,65
Селекторные каналы:
количество	1	2	2	3	6	6	2	3	3	2
скорость передачи, кбайт/сек	200	800	250	800	1250	1250	500	1100	800	1300
Мультиплексный канал: скорость передачи, кбайт/сек :
монопольный режим	200	100	220	300	670	670	300	470	350	670
мультиплексный режим	30	16	35	40	110	110	40	145	70	110
число разделённых подканалов	135	128	128	128	192	192	128	196	256	224
Потребляемая мощность, ква	12	21	13	27	60	100	25	23	25	80

  Лит.: Шелихов А. А., Селиванов Ю. П., Вычислительные машины, М., 1973; Единая система ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1974; Система документации единой системы ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1975.

  В. Н. Квасницкий.

Электронограф

Электроно'граф, прибор для исследования атомного строения твёрдых тел и газовых молекул с помощью дифракции электронов (см. Электронография ). Э. — вакуумный прибор, его схема аналогична схеме электронных микроскопов . В колонне, основном узле Э., электроны, испускаемые катодом — раскалённой вольфрамовой нитью, разгоняются высоким напряжением (20—1000 кв — быстрые электроны и до 1 кв — медленные электроны). С помощью диафрагм и магнитных линз формируется узкий электронный пучок, который направляется в камеру объектов на исследуемый образец, установленный на специальном столике. Рассеянные электроны попадают в фотокамеру и на фотопластинке (или экране) создаётся дифракционная картина (электронограмма), которую можно рассматривать как визуально, так и с помощью вмонтированного в Э. микроскопа. Э. снабжают различными устройствами для нагревания, охлаждения, испарения образца, для его деформации и т. д.