Читаем Большая Советская Энциклопедия (ФО) полностью

Фотоэлемент

Фотоэлеме'нт, электронный прибор, в котором в результате поглощения энергии падающего на него оптического излучения генерируется эдс (фотоэдс ) или электрический ток (фототок). Действие Ф. основывается на фотоэлектронной эмиссии или фотоэффекте внутреннем .

   Ф., действие которого основано на фотоэлектронной эмиссии, представляет собой (рис., а ) электровакуумный прибор с 2 электродами – фотокатодом и анодом (коллектором электронов), помещенными в вакуумированную либо газонаполненную стеклянную или кварцевую колбу. Световой поток, падающий на фотокатод, вызывает фотоэлектронную эмиссию с его поверхности; при замыкании цепи Ф. в ней протекает фототок, пропорциональный световому потоку. В газонаполненных Ф. в результате ионизации газа и возникновения несамостоятельного лавинного электрического разряда в газах фототок усиливается. Наиболее распространены Ф. с сурьмяно-цезиевым и кислородно-серебряно-цезиевым фотокатодами.

  Ф., действие которого основано на внутреннем фотоэффекте, – полупроводниковый прибор с гомогенным электронно-дырочным переходом (р–n -переходом) (рис. , б), полупроводниковым гетеропереходом или контактом металл-полупроводник (см. Шотки диод ). Поглощение оптического излучения в таких Ф. приводит к увеличению числа свободных носителей внутри полупроводника . Под действием электрического поля перехода (контакта) носители заряда пространственно разделяются (например, в Ф. с р–n -переходом электроны накапливаются в n -oбласти, а дырки – в р -области), в результате между слоями возникает фотоэдс; при замыкании внешней цепи Ф. через нагрузку начинает протекать электрический ток. Материалами, из которых выполняют полупроводниковые Ф., служат Se, GaAs, CdS, Ge, Si и др.

  Ф. обычно служат приёмниками излучения или приёмниками света (полупроводниковые Ф. в этом случае нередко отождествляют с фотодиодами ); полупроводниковые Ф. используют также для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию – в солнечных батареях , фотоэлектрических генераторах .

  Основные параметры и характеристики Ф. 1) Интегральная чувствительность (ИЧ) – отношение фототока к вызывающему его световому потоку при номинальном анодном напряжении (у вакуумных Ф.) или при короткозамкнутых выводах (у полупроводниковых Ф.). Для определения ИЧ используют, как правило, эталонные источники света (например, лампу накаливания с воспроизводимым значением цветовой температуры нити, обычно равным 2840 К). Так, у вакуумных Ф. (с сурьмяно-цезиевым катодом) ИЧ составляет около 150 мка/лм, у селеновых – 600–700 мка/лм, у германиевых – 3x104мка/лм. 2) Спектральная чувствительность – величина, определяющая диапазон значений длин волн оптического излучения, в котором практически возможно использовать данный Ф. Так, у вакуумных Ф. с сурьмяно-цезиевым катодом этот диапазон составляет 0,2–0,7 мкм, у кремниевых – 0,4–1,1 мкм, у германиевых – 0,5–2,0 мкм. 3) Вольтамперная характеристика – зависимость фототока от напряжения на Ф. при постоянном значении светового потока; позволяет определить оптимальный рабочий режим Ф. Например, у вакуумных Ф. рабочий режим выбирается в области насыщения (область, в которой фототок практически не меняется с ростом напряжения). Значения фототока (вырабатываемого, например, кремниевым Ф., освещаемым лампой накаливания) могут при оптимальной нагрузке достигать (в расчёте на 1 см2 освещаемой поверхности) несколько десятков ма (для кремниевых Ф., освещаемых лампой накаливания), а фотоэдс – нескольких сотен мв. 4) Кпд, или коэффициент преобразования солнечного излучения (для полупроводниковых Ф., используемых в качестве преобразователей энергии), – отношение электрической мощности, развиваемой Ф. в номинальной нагрузке к падающей световой мощности. У лучших образцов Ф. кпд достигает 15–18%.

  Ф. используют в автоматике и телемеханике, фотометрии, измерительной технике, метрологии, при оптических, астрофизических, космических исследованиях, в кино- и фототехнике, факсимильной связи и т.д.; перспективно использование полупроводниковых Ф. в системах энергоснабжения космических аппаратов, морской и речной навигационной аппаратуре, устройствах питания радиостанций и др.

  Лит.: Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963; Фотоэлектронные приборы, М., 1965; Васильев А. М., Ландсман А. П., Полупроводниковые фотопреобразователи М 1971.

  М. М. Колтун.

Перейти на страницу:

Похожие книги

100 великих зарубежных фильмов
100 великих зарубежных фильмов

Днём рождения кино принято считать 28 декабря 1895 года, когда на бульваре Капуцинок в Париже состоялся первый публичный сеанс «движущихся картин», снятых братьями Люмьер. Уже в первые месяцы 1896 года люмьеровские фильмы увидели жители крупнейших городов Западной Европы и России. Кино, это «чудо XX века», оказало огромное и несомненное влияние на культурную жизнь многих стран и народов мира.Самые выдающиеся художественно-игровые фильмы, о которых рассказывает эта книга, представляют всё многообразие зарубежного киноискусства. Среди них каждый из отечественных любителей кино может найти знакомые и полюбившиеся картины. Отдельные произведения кинематографистов США и Франции, Италии и Индии, Мексики и Японии, Германии и Швеции, Польши и Великобритании знают и помнят уже несколько поколений зрителей нашей страны.Достаточно вспомнить хотя бы ленты «Унесённые ветром», «Фанфан-Тюльпан», «Римские каникулы», «Хиросима, любовь моя», «Крёстный отец», «Звёздные войны», «Однажды в Америке», «Титаник»…Ныне такие фильмы по праву именуются культовыми.

Игорь Анатольевич Мусский

Кино / Энциклопедии / Словари и Энциклопедии