Большая Советская Энциклопедия (МУ)

  Известно много вариантов М. на электронных лампах, транзисторах, тиристорах и интегральных схемах. Наиболее широко применяются М., построенные на транзисторах. Если используют транзисторы одного типа (р — n — р или n — p — n ), то усилители в таких М. возбуждаются поочерёдно; в период времени T₁ в возбуждённом состоянии находится один усилитель, в период T₂ — другой. Такие М. называются двухфазными. Чередование фаз М. определяется динамическим состоянием того из усилителей, который находится в невозбуждённом режиме; последний возбуждается тогда, когда действующее на его входе напряжение становится достаточным для отпирания закрытого транзистора. После этого возникает кратковременный регенеративный процесс (в течение которого оба усилителя возбуждены), приводящий к изменению состояния усилителей — опрокидыванию М. Если же в усилителях М. используются транзисторы разного типа, то оба усилителя возбуждаются одновременно и находятся в таком состоянии в течение времени T₁ ; затем они почти одновременно переходят в невозбуждённое состояние на период времени Т₂ . Переход из возбуждённого состояния в невозбуждённое определяется соотношением сил токов в коллекторной и базовой цепях насыщенного транзистора усилителя. По принципу работы такой М. близок к транзисторному блокинг-генератору .

  М. применяют в качестве генераторов импульсов, делителей частоты, формирователей импульсов, бесконтактных переключателей и т. п. в устройствах автоматики, вычислительной и измерительной техники, в том числе в реле времени, задающих устройствах и формирователях ЦВМ. Как и другие релаксационные генераторы, М. может работать как в режиме автоколебаний, так и в заторможенном (ждущем) режиме (такой М. называется ждущим, или однотактным, и часто неправильно именуется одновибратором). При подаче управляющего сигнала (импульса запуска) ждущий М. возбуждается и генерирует один рабочий импульс длительностью T₁ , после чего снова переходит в состояние покоя (T₂ ). Ждущие М. строят обычно по несимметричной схеме; наиболее широко они применяются для генерирования импульсов строго определённой формы.

  Кроме двухфазных, существуют многофазные (n -фазные) М., состоящие из n резистивных усилителей, охваченных одной общей и n междукаскадными обратными связями. С выходов n усилителей многофазного М. можно получить последовательность сдвинутых во времени и в пространстве импульсов, благодаря чему его часто используют в многоканальных системах отбора, передачи и преобразования информации (см. Импульсная техника ).

  Лит.: Беленький Я. Е., Многофазные релаксаторы, К., 1966; Справочник по импульсной технике, под ред. В. Н. Яковлева, 3 изд., К., 1972; Ицхоки Я. С., Овчинников Н. И., Импульсные и цифровые устройства, М., 1972; Горохов В. А., Щедрин М. Б., Физические основы применения тиристоров в импульсных схемах, М., 1972; Горн Л. С., Климашов А. А., Хазанов Б. И., Мультивибраторы на интегральных элементах ТТЛ, «Радиотехника», 1973, т. 28, № 5.

  Я. С. Ицхоки.

Рис. 2. Форма сигнала на выходе мультивибратора: T_n - период колебаний; T₁ , T₂ - длительности рабочих тактов; t - время.

Рис. 1. Принципиальная электрическая схема симметричного мультивибратора: Л₁ , Л₂ — лампы (триоды); Ra₁ , Ra₂ — анодные нагрузки; R₁ , R₂  — сопротивления в цепях обратной связи; C₁ , C₂ — конденсаторы в цепях обратной связи; E_a — источник анодного питания.

Мультиплетность

Мультипле'тность (от лат. multiplex — многократный), число возможных ориентаций в пространстве полного спина атома или молекулы. Согласно квантовой механике, М. c = 2S + 1, где S — спиновое квантовое число . Для систем с нечётным числом N электронов S = ¹ /₂ ; ³ /₂ ; ⁵ /₂ ,... и М. чётная (c = 2, 4, 6,...). Для них возможны дублетные, квартетные, секстетные и т. д. квантовые состояния. Если N чётно, S = 0, 1, 2,... и М. нечётная (c = 1, 3, 5,...) — возможны синглетные, триплетные, квинтетные и т. д. состояния. Так, для систем с 1 электроном (атом Н, ион H₂ ⁺ , S = ¹ /₂ , c = 2) получаются лишь дублетные состояния; с 2 электронами (атом Не, молекула H₂ ) — синглетные состояния (S = 0, c = 1, спины электронов антипараллельны) и триплетные состояния (S = 1, c = 3, спины электронов параллельны). Для N электронов максимальная М. (c = N + 1) соответствует параллельному направлению их спинов.

  М. определяет кратность вырождения уровней атома или молекулы. 2S + 1 квантовых состояний, соответствующих уровню энергии с заданным S , отличаются значениями проекции полного спина и характеризуются квантовым числом M_s = S , S — 1,..., —S , определяющим величину этой проекции. Вследствие спин-орбитального взаимодействия уровень энергии может расщепиться на c = 2S + 1 подуровней (мультиплетное расщепление, приводящее к расщеплению спектральных линий, см. Тонкая структура ).