Большая Советская Энциклопедия (НА)

  Процесс вращения состоит в повороте векторов J_s в направлении поля Н . Причиной возможной задержки или ускорения процесса вращения является магнитная анизотропия ферромагнетика (первоначально векторы J_s доменов направлены вдоль осей лёгкого намагничивания, в общем случае не совпадающих с направлением Н ). При полном совпадении J_s с направлением Н достигается т. н. техническое магнитное насыщение, равное величине J_s ферромагнетика при данной температуре.

  Парапроцесс заключается в выстраивании вдоль поля элементарных магнитных моментов, которые из-за дезориентирующего действия теплового движения были отклонены от направления J_s в доменах. При этом величина намагниченности J ферромагнетика стремится к её значению при абсолютном нуле. Парапроцесс в большинстве случаев даёт очень малый прирост намагниченности, поэтому Н. ферромагнетиков определяется в основном процессами смещения и вращения.

  Если Н. ферромагнетика осуществлять при монотонном и медленном возрастании поля из состояния полного размагничивания (J = Н = 0), то полученную зависимость J (H ) называют кривой первого (первоначального) Н. (см. Намагничивания кривые ). Эту кривую обычно подразделяют на 5 участков (рис. 1 ). Участок I — область начального, или обратимого, намагничивания, где J = c_a H . В этой области протекают главным образом процессы упругого смещения границ доменов (при постоянной начальной магнитной восприимчивости c_a ). Область Рэлея (II) характеризуется квадратичной зависимостью J от Н (в этой области c линейно возрастает с Н ). В области Рэлея Н. осуществляется благодаря процессам смещения: обратимым, линейно зависящим от Н , и необратимым, квадратично зависящим от Н (см. Рэлея закон намагничивания ). Область наибольших проницаемостей (III) характеризуется быстрым ростом J , связанным с необратимым смещением междоменных границ. Н. на этом участке происходит скачками (см. Баркгаузена эффект ). В области приближения к насыщению (IV) основную роль играют процессы вращения. Участок V — область парапроцесса. Если после достижения состояния магнитного насыщения J_s (в поле H_s ) начать уменьшать Н , то будет уменьшаться и J , но по кривой, лежащей выше кривой первого намагничивания (явление магнитного гистерезиса ). Гистерезисные явления сказываются и при Н. — они затрудняют рост J с увеличением поля, при их устранении значение J уже в слабых полях приближается к J_s , отличаясь от неё на величину, обусловленную процессами вращения (рис. 2 ). Вклад процессов смещения и вращения в результирующую намагниченность ферромагнитного образца на различных участках кривой намагничивания зависит от его магнитной текстуры, наличия дефектов кристаллической решётки, формы образца и других факторов. Существенное влияние формы образца на ход кривой Н. (рис. 3 ) обусловлено действием размагничивающего фактора .

  Лит.: Вонсовский С. В., Магнетизм, М., 1971; Киренский Л. В., Магнетизм, 2 изд., М., 1967; Кифер И. И. и Пантюшин В. С., Испытания ферромагнитных материалов, М. — Л., 1955.

Рис. 1. а — кривая первого намагничивания: I — область обратимого намагничивания, II — область Рэлея, III — область наибольших проницаемостей, IV — область приближения к насыщению, V — область парапроцесса; б — схематическое изображение процессов намагничивания в многодоменном ферромагнетике.

Рис. 2. Безгистерезисная кривая намагничивания: теоретическая (1) и экспериментальная (2). Для сравнения приведена кривая первого намагничивания (3). Наклон экспериментальной безгистерезисной кривой обусловлен неоднородностями материала (пустотами, трещинами и т. п.), на которых образуются внутренние размагничивающие поля.

Рис. 3. Кривые намагничивания ферромагнитных образцов различной длины и формы: 1 — тороид; 2 — длинный тонкий образец; 3 — короткий толстый образец; Нразм — внутреннее размагничивающее поле, зависящее от формы образца.

Намагничивания кривые

Намагни'чивания кривы'е, графики, таблицы или формулы, показывающие зависимость намагниченности J или магнитной индукции В от напряжённости магнитного поля Н . Если известна зависимость J (H ), то по ней можно построить для того же вещества кривую индукции В (Н ), т. к. одновременные значения В , J , Н , относящиеся к одному элементу объёма вещества, связаны тождеством: В = Н + 4pJ (в СГС системе единиц ) или В = m₀ (Н + J ) (в единицах СИ, здесь m₀ — магнитная постоянная ).