Большая Советская Энциклопедия (СВ)

Световы'е этало'ны, меры для воспроизведения, хранения и передачи световых единиц. В качестве С. э. в разное время применялись: пламя свечи или лампы с заданными характеристиками (размеры пламени, топливо и пр.); 1 см² поверхности платины при температуре затвердевания; электрические лампы накаливания. Различают первичный и вторичные С. э. Первичный С. э. единицы силы света — канделы, постоянный и воспроизводимый на основе законов теплового излучения, осуществлен в виде обладающего свойствами абсолютно чёрного телат. н. полного излучателя (см. рис.) при температуре затвердевания платины: огнеупорная трубочка погружена в металл, расплавляемый токами высокой частоты. Этот С. э. разработан в США, принят по международному соглашению 1 января 1948 и осуществлен в 8 национальных лабораториях. Его яркость 6x10⁵кд/м², международная согласованность около ±0,6% при внутрилабораторной погрешности ± 0,2%. Вторичные С. э. для единиц силы света, освещённости и для единицы светового потока представляют собой группы светоизмерительных ламп накаливания различного устройства и разной цветовой температуры.

  В. Е. Карташевская.

Устройство первичного светового эталона: 1 — трубка из плавленой окиси тория ThO₂, температура которой поддерживается равной температуре затвердевания платины 2042 К; 2 — тигель из плавленой ThO₂ с химически чистой платиной 3; 4 — кварцевый сосуд с засыпкой 5 из ThO₂; 6 — смотровое окно; 7 — призма полного внутреннего отражения; 8 — объектив, создающий изображение светящегося отверстия излучателя на диффузной белой пластинке 10; с другой стороны пластинка 10 освещается лампой сравнения 11; 9 — диафрагма. Платина в тигле разогревается токами высокой частоты в индукционной печи (температура плавления ThO₂ выше 2042 К). Меняя расстояния между светомерной головкой, полным излучателем и лампой сравнения, добиваются уравнивания освещенностей на двух сторонах пластинки 10. Последнюю часто заменяют фотоэлементом, освещаемым попеременно первичным и вторичным световыми эталонами.

Светогорск

Светого'рск (до 1948 — Энсо), город в Выборгском районе Ленинградской области РСФСР. Расположен на р. Вуокса, близ границы с Финляндией. Ж.-д. станция в 196 км к С.-З. от Ленинграда. ГЭС. Целлюлозно-бумажный комбинат.

Светодальномер

Светодальноме'р, см. Дальномер, Электрооптический дальномер.

Светозарево

Светоза'рево (до 1946 — Ягодина; переименован в честь Светозара Марковича), город в Югославии, в Социалистической Республике Сербии, на р. Белица, притоке Моравы. 29 тыс. жителей (1972). Пищевая промышленность (сахарная, овоще-фруктоконсервная, мясная и пивоваренная). Производство кабеля, инструмента и электротехнических изделий; мебели, кирпично-керамические предприятия. Машиностроительно-электротехнический факультет Белградского университета.

Светоизлучающий диод

Светоизлуча'ющий дио'д, светодиод, полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом, полупроводниковым гетеропереходом либо контактом металл — полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока — электроны и дырки; их рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, — с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа A^III B^V и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs_1-xP_x, Al_xGa_1-xAs, Ga_1-xln_xP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP—Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs—Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.

  Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 10³кд/м², у лучших образцов С. д. — до 10⁵кд/м². Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40%.