Большая Советская Энциклопедия (ТР)

  Технологическое Т. (чаще всего химическое) применяется, например, для очистки от окалины или для получения требуемого вида поверхности металлических полуфабрикатов, при лужении, пайке. Т. типографских клише заключается в обработке кислотой участков металлических (преимущественно цинковой) пластины, не защищенных кислотоупорным слоем; при Т. эти участки оказываются углублёнными. Подобное Т. для создания необходимого профиля поверхности широко распространено в современной технологии полупроводниковых приборов , для изготовления интегральных схем (см. также Микроэлектроника ) и печатных плат в электронике (см. Печатные схемы ). Для получения нужного рисунка схемы на полупроводниковые кристаллы или покрытые металлической фольгой (медной, алюминиевой, олово-никелевой и др.) печатные платы наносится химически стойкий слой диэлектрика, а свободные от него участки подвергаются Т., например для удаления металлического слоя. Т. полупроводниковых материалов — важная операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии (см. Эпитаксия ) — для очистки поверхности от загрязнений и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (например, для вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных транзисторов ); для ограничения площади р—n -переходов в готовых диодных и триодных структурах. Стекло подвергают Т. для образования на нём рисунка или матовой поверхности, дерево — для придания не свойственного ему вида. Электрохимическое Т. успешно применяется для металлов и сплавов, химическое Т. которых затруднено (тантал, молибден, вольфрам, жаропрочные сплавы), а также для полупроводников. Преимущества электрохимического Т. по сравнению с химическим — чистота поверхности (на ней не остаётся никакого осадка) и чрезвычайная гибкость в управлении процессом.

  Структурное Т. — протравливание полированных шлифов кристаллических материалов, поверхности слитков и полуфабрикатов, граней или сколов кристаллов различными химическими реактивами; при этом выявляются особенности химического и фазового состава и кристаллического строения, которые можно наблюдать невооруженным глазом (макроструктура ) или с помощью микроскопа (микроструктура ). Структурное Т. используется для научных исследований, в прикладной минералогии (в том числе для диагностики рудных минералов) и в промышленности — для контроля структуры при производстве металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков. По симметрии фигур Т. на гранях определяют ориентацию кристаллов. Метод фигур Т. успешно применяется главным образом в технологии полупроводников, для выявления дефектов в кристаллах ; малоугловых и двойниковых границ, дислокаций и дефектов упаковки.

  Лит.: Жадан В. Т., Гринберг Б. Г., Никонов В. Я., Технология металлов и других конструкционных материалов, 2 изд., М., 1970; Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Справочник по печатным схемам, пер. с англ., М., 1972; Коваленко В. С., Металлографические реактивы. Справочник, 2 изд., М., 1973; Курносов А. И., Юдин В. В., Технология производства полупроводниковых приборов, М., 1974; Пшеничнов Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974.

  Г. В. Инденбаум.

Травма

Тра'вма (от греч. trа'uma — рана), повреждение в организме человека или животного, вызванное действием факторов внешней среды. Различают Т.: в зависимости от вида травмирующего фактора — механические, термические (ожоги, обморожения), химические Т., баротравмы (в связи с резким изменением атмосферного давления), электротравмы и т.д., а также комбинированные Т., например сочетание механической Т. и ожога; от длительности воздействия травмирующего фактора — острые и хронические Т.; от обстоятельств, при которых произошла Т., — бытовые (см. Травма бытовая ), производственные, спортивные, боевые и  т.д.