И аз создам!

Видимо к тому времени, про Гринлифа Уиттера Пиккарда - все уже дано забыли, раз узнав о скромном советском «изобретателе» - даже не имеющим высшего образования, в адрес ему неслись лишь хваленые дифирамбы. Вообще непонятно, ведь работы по этой теме велись за границей и после появления «Триода ТМ». В Штатах, к примеру, широко были распространены детекторы на основе карборунда, которые во отличии от «Кристадинов» - не боялись тряски и, могли устанавливаться даже на движущимся транспорте.

Загадочная история, согласитесь, ждущая своего вдумчивого исследователя.

 

В конце двадцатых годов, идею кристаллического детектора похоронили во второй раз.

Во-первых, на рынке появились достаточно дешёвые и надёжные радиолампы следующего поколения…

А во-вторых, в СССР закончилась эпоха НЭПа.

Олег Лосев, больше ничего гениального не изобрёл. До войны он работал в «ЦРЛ» под руководством А. Ф. Иоффе, преподавал физику в должности ассистента в Ленинградском медицинском институте и в «реальной» истории умер от голода во время Блокады Ленинграда.

 

***

А что же полупроводники?

А с ними всё в порядке, работы над ними шли по всему миру. Наши тоже в принципе не отставали и, в 1926 году советский физик Я. И. Френкель выдвинул гипотезу о дефектах кристаллической структуры полупроводников, названных им «дырками».

В 1931 году академик Иоффе публикует общую статью «Полупроводники – новые материалы электроники».

Основываясь на зарубежных открытиях, Курчатов годом позже, доказал в своей работе «К вопросу об электропроводности закиси меди», что величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией природой примеси в полупроводнике.

Кроме этих двоих, исследования полупроводников в Ленинграде проводил ныне основательно забытый Борис Иосифович Давыдов, разработавший в 1937 году прорывную теорию прохождения тока в диодных структурах полупроводников… В том числе с разным типом проводимости - названных позднее «p-n переходами» и, имел смелость пророчески предположить, что для создания такого электронного устройства подойдет германий. Он также ввёл в научный обиход понятие «инжекции».

Кроме того, были многочисленные группы и отдельные исследователи полупроводников по всей стране.

 

Наконец, будущий академик АН УССР Вадим Евгеньевич Лашкарёв, работая в 1941 году в Уфе над разработкой и производством диодов на оксиде меди для радиостанций, чуть было не совершил эпохальное открытие… Приближая термозонд к игле детектора, он фактически воспроизвёл структуру точечного транзистора, еще бы шаг – и он бы открыл транзистор на шесть лет раньше американцев.

Увы, но этот шаг так и не был сделан!

Были у советских учёных и отдельные послевоенные достижения в области полупроводников, но факт остаётся фактом:

23 декабря 1947 года Уолтер Браттейн в «Bell Telephone Laboratories» провел презентацию изобретенного им прибора – действующего макета первого транзистора. Годом позже состоялась презентация первого транзисторного радиоприемника, а в 1956 году Уильям Шокли, Уолтер Браттейн и Джон Бардин получили Нобелевскую премию за это - одно из величайших открытий за всю историю человечества.

Так, советские ученые проиграли транзисторную гонку и с той поры вынуждены были «задрав штаны» со всех ног догонять.

 

Одно радует: «майку лузера» они делили с их британскими коллегами - которые точно также будучи в шаге от открытия, проспали не только полупроводниковые транзисторы, но и…

Микросхемы!

Впервые их еще в 1952 году предложил британский радиотехник Джеффри Даммер, впоследствии прозванный «пророком интегральных схем». Лишь в 1956 году он смог добиться от британских чиновников финансирования и изготовить первый прототип методом выращивания из расплава. Но первый «блин» оказался «комом» и Министерство обороны Великобритании признало его саму идею микросхемы бесперспективной, указав изобретателю на дверь.

В итоге британцы полностью прозевали переход к электронным машинам третьего поколения, активно начавшийся в середине 1960-х, отстав даже от Советов.

Однако, согласитесь: это – слабое утешение.

 

***

Почему так случилось?

Ведь, до войны мы шли ноздря в ноздрю со всем научным миром, занимавшимся изучением полупроводников.

Мало того, СССР подошел к созданию транзистора ближе всех, наши учёные буквально держали в руках его прототипы, причем на целых шесть лет раньше пиндосов.

Давайте разберём по полочкам…

Во-первых, виновата была советская параноидальная привычка засекречивать всё на свете. Имеющее хоть какое-то отношение к «оборонке», отчего несколько коллективов учёных работали параллельно - не имея понятия о достижениях и неудачах коллег.

Например, с работ «ОКБ 498» 50-х годов над первыми советскими полупроводниковыми диодами серии «ДГ-В1-8», гриф секретности был снят аж…

В 2019 году!

 

Во-вторых, советские открытия делались по большей части случайно. Тот же Лошкарёв разрабатывал купросные диоды для РЛС, пытаясь скопировать трофейные фирмы «Phillips» и, не осознал значение им сделанного.

В-третьих, мешала идеология.