История лазера. Научное издание

Хотя полупроводники были известны давно, РёС… физика была полностью понята только после изобретения транзистора РІ 1948 Рі. Можно тем самым понять, что были некоторые сомнения РІ возможности РёС… использования для лазера. Р’Рѕ РІСЃСЏРєРѕРј случае полупроводники были первыми, рассмотренными как возможная среда для получения излучения путем стимулированного испускания. Р’ то время были выдвинуты различные предложения. Р’ 1954 Рі. Джон фон Нейман обсуждал СЃ Джоном Бардиным (РѕРґРёРЅ РёР· изобретателей транзистора) возможность использования полупроводников. Тремя годами позднее, РІ 1957 Рі., произошел подлинный взрыв. Р’ РЇРїРѕРЅРёРё 22 апреля 1957 Рі. был выдан патент Ватанабе Рё Нишизава, РІ котором рассматривалось рекомбинационное излучение, получающееся РїСЂРё инжекции свободных носителей РІ полупроводнике. Позднее РѕРЅ был опубликован 20 сентября 1960 Рі. Патент назывался полупроводниковый мазер, Рё, как пример, рассматривалось рекомбинационное свечение РІ теллуре РЅР° длине волны около 4 РјРєРј, С‚.Рµ. РІ ближнем РРљ-диапазоне. Авторы наивно рассматривали полупроводник, помещенный РІ резонаторе, типичном для микроволновой области. РќРѕ концепция использовать инжекцию носителей Рё РёС… рекомбинационное излучение была озвучена. Р’ Линкольновской лаборатории MIT физик Бенжамен Лэкс провел РІ 1957 Рі. семинар СЃ участием Пьера РРіСЂСЌРЅР° (19242002) РёР· Парижа, Рё начались исследования переходов РІ РіСЂСѓРїРїРµ энергетических уровней, которые возникают, РєРѕРіРґР° полупроводник помещается РІ сильное магнитное поле (подобные тем, что работают РІ трехуровневом мазере Бломбергена). Рдеи РРіСЂСЌРЅР° были представлены РЅР° международной конференции РїРѕ физике твердого тела РІ электронике Рё телекоммуникациям. РћРЅР° проходила РІ 1958 Рі. РІ Брюсселе, Рё РЅР° ней обсуждалась возможность использования полупроводников для продвижения мазерного эффекта РІ область оптических частот. Однако труды этой конференции РЅРµ были опубликованы.