История лазера. Научное издание

Р РёСЃ. 60. Схема полупроводникового лазера РЅР° p-n-переходе простейшего типа. Лазерное излучение испускается РІ тонком активном слое между p Рё n зонами, Рё отражается взад Рё вперед параллельными гранями F₁, F₂, которые действуют как зеркала резонатора

Натан работал СЃ несколько отличной системой, используя переход без резонатора. РџРѕСЂРѕРі, достигаемый РїСЂРё температуре жидкого азота, очевидно, был выше между 10 000 Рё 100 000 Рђ/СЃРј². Рў. РљРІРёСЃС‚ РёР· MIT использовал структуру 1,4x0,6 РјРј2 СЃ отполированными короткими гранями. РџСЂРё температуре жидкого азота РїРѕСЂРѕРі был около 1000 Рђ/СЃРј². Наконец, Холоньяк использовал переход соединения арсенида галлия СЃ фосфидом. Рспользуя этот материал, удалось получить генерацию РїСЂРё 60007000 Рђ/СЃРј² вместо 8400 Рђ/СЃРј², РєРѕРіРґР° использовался простой образец GaAs.

Р’ Р РѕСЃСЃРёРё (РЎРЎРЎР ), РІСЃРєРѕСЂРµ после создания лазеров РІ РЎРЁРђ, Р’.РЎ. Багаев, Рќ.Р“. Басов, Р‘.Рњ. Р’СѓР», Р‘.Р”. Копыловский, Рћ.Рќ. РљСЂРѕС…РёРЅ, Р®.Рњ. РџРѕРїРѕРІ, Рђ.Рџ. Шотов Рё РґСЂ. создали лазерный РґРёРѕРґ РІ Р¤РРђРќРµ. Ртот результат обсуждался РЅР° 3-Р№ Международной конференции РїРѕ квантовой электронике РІ Париже, РІ 1963 Рі.

Первые лазеры делались РёР· РѕРґРЅРѕРіРѕ Рё того же материала СЃ переходом между n Рё p частями. РћРЅРё имели высокие РїРѕСЂРѕРіРё. Р’ 1963 Рі. X. Кромер предложил использовать гетеропереходы, РІ которых полупроводник СЃ относительно СѓР·РєРѕР№ запрещенной Р·РѕРЅРѕР№ располагается между РґРІСѓРјСЏ слоями полупроводника СЃ более широкими запрещенными зонами (СЃСЌРЅРґРІРёС‡-структура). Р’ то же время аналогичное предложение сделали Р–.Р. Алфёров Рё Р .Р¤. Казаринов РёР· Физико-технического института РёРј. Рђ.Р¤. Роффе (Рі. Ленинград). Р РѕСЃСЃРёР№СЃРєРёРµ ученые РЅРµ опубликовали СЃРІРѕРµ предложение. Прошло шесть лет, прежде чем РІ Bell Labs Рё РІ RCA были разработаны первые гетероструктурные лазеры. Рљ тому времени Алфёров Рё его сотрудники разработали более сложные многослойные структуры, которые сегодня известны как лазеры СЃ РґРІРѕР№РЅРѕР№ гетероструктурой. Усилия Р–. Алфёрова Рё X. Кромера были отмечены Нобелевской премией РїРѕ физике РІ 2000 Рі. Р·Р° разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых РІ высокоскоростной электронике Рё РІ оптоэлектронике вместе СЃ Джеком Килби Р·Р° его вклад РІ изобретение интегральной схемы.

Р–.Р. Алфёров родился РІ Витебске (Белоруссия) РІ 1930 Рі. РћРЅ окончил Рлектротехнический институт РёРј. Р’. Р. Ленина (Ленинград) РІ 1952 Рі. Рё РІ 1953 Рі. поступил РІ Физико-технический институт. РЎ 1987 Рі. РѕРЅ директор этого института. Алфёров академик Р РђРќ Рё депутат Государственной Думы.