Криптология и секретная связь. Сделано в СССР

В феврале-марте 1954 года начальник НИИ-2 И. И. Наумов назначил институтскую комиссию по определению готовности магистрали Москва — Берлин, оборудованной аппаратами М-803-5 и ретрансляторами М-803-Т, к общим линейным испытаниям. На протяжении двух месяцев работы на линии связи комиссия установила достаточную стойкость работы аппаратуры, после чего рекомендовала предоставить аппаратуру на общие испытания. Акт институтской комиссии был утвержден 3 апреля 1954 года.

В период с 15 апреля по 26 мая 1954 года работала общая комиссия ОПС и НИИ-2 по проведению линейных испытаний аппаратуры М-803-5 и М-803-Т. Комиссия оценила качество речи как приемлемое для проведения опытной эксплуатации магистрали Москва — Берлин. Акт комиссии был утвержден начальником ОПС П. Н. Ворониным и начальником 3-го Главного Управления МПСС И. В. Лобовым в июне 1954 года.

После проведения работниками ОПС опытной эксплуатации была изготовлена партия аппаратуры М-803-5 и М-803-Т, которой были оснащены важные зарубежные магистрали: Москва — Берлин и Москва — Пекин. Тракт связи Берлин — Москва — Пекин был в то время наиболее длинной в мире магистралью засекреченной проводной линии связи.

Так родилась международная правительственная связь. За выпуск серии аппаратуры М-803-5(Т) группа сотрудников НИИ-2 была отмечена правительственными наградами, в частности, ее главный конструктор А. Н. Кабатов был награжден орденом Ленина. В дальнейшем улучшенный вариант этой аппаратуры засекречивания гарантированной стойкости получил название «Лагуна».

Известно, что НИИ-2 разработал для ВМФ аппаратуру засекречивания радиотелефонных переговоров Т-617 «Эльбрус-К», которая использовалась как в составе КВ и СВ, так и УКВ и ДЦВ комплексов радиосвязи. Промышленностью было выпущено более 2400 комплектов Т-617.

Спецотдел НИИ-2 по разработке вокодерной техники с 1956 года возглавил А. П. Петерсон, главный конструктор ряда ОКР, изобретатель и автор 60 научных трудов. За большой вклад в разработку спецтехники был награжден орденами Красной Звезды и Трудового Красного Знамени.

21 января 1954 года на базе предприятий и организаций радиотехнической, электровакуумной и телефонно-телеграфной промышленности было создано Министерство радиотехнической промышленности СССР.

В то время при производстве различных видов радиоэлектронной аппаратуры и вычислительной техники применялась технология «навесного монтажа»: дискретные элементы — радиолампы, конденсаторы, сопротивления — соединялись между собой сетью переплетающихся проводов. Все это делало радиоэлектронную продукцию громоздкой, тяжелой, ненадежной и энергоемкой.

Радиолампе требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она в 1948 году наконец нашлась в виде полупроводниковых транзисторов (от англ. transfer resistor — трансформатор сопротивлений), изобретателями которых считаются американские физики Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Бреттейн.

Первый в СССР институт полупроводниковых приборов — НИИ-35 (будущий «Пульсар») — был создан в июне 1953 года. Серийное производство полупроводниковых приборов началось в 1955 году на ленинградском заводе «Светлана». В 1957 году советская электронная промышленность выпустила 2,7 миллионов транзисторов.

В целом характерной особенностью развития электронной отрасли во второй половине 1950-х годов явилось создание сложных конструкций из дискретных миниатюрных радиокомпонентов (резисторов, конденсаторов, бескорпусных транзисторов) по технологии «поверхностного монтажа».

Качество монтажно-сборочных работ стало основной проблемой изготовителей при обеспечении работоспособности и надежности сложных радиотехнических и вычислительных устройств. Дальнейшим развитием технологии «поверхностного монтажа» стали печатные платы, в которых все одиночные проводники были объединены в единое целое и изготавливались одновременно групповым методом путем стравливания медной фольги с поверхности фольгированного диэлектрика.

Применение технологии печатных плат позволило решить проблему повышения надежности контактных соединений между радиодеталями. Естественным развитием этой технологии стало изобретение интегральных микросхем (далее — ИС).

В СССР первые макеты германиевых ИС в 1959 году изготовила группа разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов. Первая отечественная ИС на основе кремния (логическая ячейка, реализующая функцию И(ИЛИ) — НЕ) была разработана в 1961 году в лаборатории Л. Н. Колесова в Таганрогском радиотехническом институте.

Первая отечественная полупроводниковая ИС «Тропа» с двадцатью элементами на кристалле являлась точной копией американской ИС серии SN-51. Она была изготовлена в 1962 году в НИИ-35 коллективом, который в дальнейшем был переведен в НИИ микроэлектроники, обосновавшийся в подмосковном Зеленограде.