-борат бария), который спонтанно расщепляет ультрафиолетовый фотон на пару запутанных инфракрасных фотонов.
команда фактически запутывает импульсы фотонов, это означает, что их положения в реальном месте (координаты), как показывает детектор, также запутаны.» [117]: «Мы работаем с простой, имеющейся в наличии оптикой, без потребности в голограммах или интерференционной стабильности, как в предыдущих экспериментах». Теперь команда планирует продемонстрировать запутанность пикселей в квантово-криптографических системах. «Мы также хотели бы использовать наши идеи, чтобы создать запутанные состояния, используя другие переменные, типа энергии и времени», — добавляет . все ближе подходят к реальным технологиям. Группа исследователей компании Хитачи, работающая в Кембриджском университете в Великобритании, в августе 2005 года сообщила [118]о разработке кремниевого чипа — первом шаге в развитии квантового компьютера, основанного на обычной кремниевой технологии.пространственная неоднородность), созданная на кремниевом кристалле, проявляет себя как со временем декогеренции, в 100 раз большим, чем предыдущая реализация в арсениде галлия. Методика создания квантовых точек уже отработана и может быть использована в стандартных (CMOS, — полупроводниковая технология, применяемая при изготовлении всех логических микросхем, включая микропроцессоры и ). Одного лишь создания кубита для построения квантового компьютера недостаточно, и кембриджская команда Хитачи произвела все базовые операции: инициализации; манипуляции — с помощью электронных ; измерения — с использованием одноэлектронных транзисторов. Это дает возможность наращивать число кубитов до большой квантовой схемы, что необходимо для создания полноценного квантового компьютера.) позволяет формировать на поверхности подложки структуры различного функционального назначения. По этой технологии изготавливаются интегральные акселерометры (датчики ускорения), , селективные фильтры для биотехнологий и модуляторы света. системы создаются посредством комбинирования механических элементов, датчиков и электроники на общей кремниевой основе с использованием технологий . Все элементы могут быть реализованы в виде единого изделия — микросхемы на кремниевой пластине, причем выпускать их можно сразу десятками или сотнями. При этом в основе лежит уже апробированная традиционная технология производства полупроводниковых интегральных микросхем.