Министр невероятной промышленности

За две недели нам (во всяком случае мне) в Америке очень надоело, и мы с радостью ее покинули. Обстановка там для нас напряженная, так и ждали какой-нибудь гадости. Правда, при нас все обошлось как будто тихо.

Как то вы там в Москве? Я старался о вас не думать, т. к. всякое воспоминание вызывает у меня чувство беспокойства. Но одно дело стараться не думать, а другое не думать. Нет да нет, а мысли все там, в Москве, возле вас. Как мой Шурик? Как его рука? Он, наверное, уже забыл обо мне. А вот Иринка, я уверен, скучает, хотя своих чувств вслух и не выражает. Ты, конечно, наконец-то "освободилась" и живешь по рецепту Лиды "в свое удовольствие". Я рад этому — надо же тебе отдохнуть от непрерывного "надзора" и "опеки" мужа. Передавай привет всем.

Крепко вас целую и обнимаю. Ваш — Ш.

P. S. Письмо должны привезти в Москву товарищи, которые возвращаются из США прямо в Москву. Еще раз крепко целую.

В Европе командировка была продолжена посещением ряда фирм во Франции и Голландии, и в Москву А.И. возвратился только в середине апреля, а багаж его продолжал свой путь морем самостоятельно и прибыл еще недели на две-три позже.

Поездка лишний раз подтвердила, что скорость прогресса в электронике с каждым годом нарастала. Еще полным ходом шло совершенствование электровакуумных приборов, но в 1948 году в США появился первый транзистор, и среди закупленных в командировке А.И. образцов техники был средневолновый карманный транзисторный радиоприемник фирмы "Zenith". Такой же он купил и для себя. Сегодня уже мало кто может понять потрясение случайных встречных, услышавших вдруг голос радио где-нибудь за городом, в лесу или в поле. Это в тогдашнем представлении обывателей было абсолютным чудом, так как самого радиоприемника они не видели. Быть таким маленьким, что его не видно, и в то же время таким громким — нет, это было совершенно невозможно!

Своим появлением транзистор во многом обязан радиолокации. Одним из наиболее важных новшеств военного времени было использование в радиолокаторах кристаллических детекторов в качестве смесителей, видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей. Кристаллические детекторы военного времени уже не были теми неуклюжими галеновыми детекторами с контактной пружиной 1920- и 1930-х годов, а представляли собой новые герметизированные устройства. Наиболее широкое применение в них получили германиевые кристаллы. Какое-то время исследования полупроводниковых детекторов было развернуто в пятидесяти лабораторий США. Большинство из них свои работы свернули, остались две, и вот в одной-то из них и родился транзистор.

В короткий срок полупроводниковые приборы начали все заметнее теснить приемо — усилительные лампы. Нужно было еще раз начинать создание новой промышленности.

В нашей стране исследования полупроводниковых детекторов в интересах радиолокации были начаты в ЦНИИ-108. Чтобы обеспечить качественное и количественное развитие полупроводниковой электроники, необходимо было привлечь к участию организации АН СССР, где трудами А. Ф. Иоффе и его школы в конце сороковых годов были достигнуты успехи в физике и теории полупроводников, министерства цветной металлургии, химической промышленности и др. и координировать их совместную работу. Началось развитие промышленности по производству редких и редкоземельных металлов, полупроводниковых материалов. Головным предприятием в этой области был институт Гиредмет Минцветмета, чьим научным руководителем почти тридцать лет был Н. П. Сажин. Многим отечественная электроника обязана Гиредмету. С этим институтом связано решение таких проблем электроники, как освоение производства монокристаллов германия, создание методов переработки сурьмяных и висмутовых руд, производство титана, циркония и ниобия, применение в производстве редких металлов электроннолучевой плазменной плавки. Большой вклад в разработку технологии получения и в освоение производства полупроводниковых материалов Физико-технический институт и ИРЭ Академии Наук.

В ЦНИИ-108 также велись исследования в области усиления сигнала в полупроводниковых устройств, но, к сожалению, наблюдавшийся С. Г. Калашниковым и Н. А. Пениным эффект не получил должного объяснения, открытие не состоялось, и первый в нашей стране образец точечного германиевого транзистора был создан в 1949 году.

Для решения задач быстрейшего освоения и внедрения в промышленность технологии полупроводниковых приборов, разработки соответствующего оборудования и т. д. в 1953 году в Москве был создан НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, нынешний НИИ "Пульсар"), где в лаборатории А. В. Красилова были изготовлены первые в СССР плоскостные транзисторы, ставшие основой для серийных приборов типа П1, П2, ПЗ и их дальнейших модификаций. Работы этой лаборатории создали базу для дальнейшего развития транзисторной технологии в институте.