Многие технологические операции должны проходить в среде с очень точно дозированным содержанием водорода, аргона, азота и других газов, с чрезвычайно низкой, в буквальном смысле нетерпимой для человека, влажностью воздуха. Вот почему ряд операций, в частности сборку транзисторов, проводился в специальных боксах, изолированных от атмосферы цеха. Технологический регламент надо было выполнять с чрезвычайно высокой точностью. Например, режим диффузии при изготовлении высокочастотных транзисторов должен обеспечить создание области толщиной в несколько микронов. Затем в этой области нужно создать еще один слой толщиной в 1 микрон — коллектор с другим типом проводимости. И, разумеется, к каждой из этих зон надо присоединить вывод — тонкий проводничок, который сквозь "бусинки" изолятора выходит из герметизированного корпуса полупроводникового прибора. Режим одного из процессов так называемой планарной технологии, протекающий при температуре, свыше 1000 °C, нужно выдерживать с точностью до +0,5 градуса.
Сами кристаллы германия, а позднее и кремния должны были быть фантастической чистоты. Для германия допускалось содержание примесей не более 10-8 %, что соответствует одному грамму примеси на 10 тысяч тонн основного вещества! И получение подобных материалов, и контроль их чистоты должны были осуществляться не для каких-либо уникальных лабораторных исследований, а в условиях крупносерийного производства — на заводах, выпускающих многие миллионы полупроводниковых приборов. Ни одна из отраслей техники (разве что атомная промышленность) до этого времени не предъявляла столь жестких технических требований по широкому кругу проблем, необходимых для осуществления поставленных задач и не могла служить достаточной базой для развития полупроводниковой электроники.
Вновь, как и в случае с электровакуумными приборами, требовалось создать массовое производство совершенно нового типа. Нужны были свежие силы. Так как надо было пользоваться методами производства, которые не просто отличались от обычных технологических методов, но во многих отношениях граничили с алхимией, кадровые службы комитета разыскивали блестящих молодых физиков и других ученых, необходимых для того чтобы продвинуть вперед уровень полупроводниковой техники. Молодых специалистов начали посылать учиться, перенимать передовой опыт в науке, организации разработок и производства в США и европейские страны.
А в США 1962 год ознаменовал уже начало массового выпуска интегральных схем, хотя их объем поставок заказчикам и составил всего лишь несколько тысяч. Сильнейшим стимулом для развития приборостроительной и электронной промышленности на новой основе явилась ракетно — космическая техника. В США не имели возможности в ближайшем будущем создать такие же мощные межконтинентальные баллистические ракеты, как советские, и для увеличения заряда были вынуждены пойти на максимальное сокращение массы носителя, прежде всего систем управления, за счет внедрения последних достижений электронной технологии. Фирма Texas Instrument заключила крупный контракт с военными на разработку и изготовление серии из 22 специальных схем для программы создания ракет "Минитмен". Одновременно фирма Fairchild также заключила значительные контракты с НАСА и рядом изготовителей коммерческого оборудования.
Твердотельные интегральные схемы становились теперь главными радиокомпонентами, необходимо было кардинальное развитие полупроводниковой микроэлектроники, а в ГКЭТ на эту тематику было всего два НИИ и несколько КБ. От А.И. требовались экстраординарные меры по расширению научной базы микроэлектроники, концентрации усилий многих людей — ученых, инженеров, рабочих, техников, руководителей. И он их принял.
Основная идея состояла в создании комплексного, замкнутого Научного Центра микроэлектроники из ряда сосредоточенных в одном месте научно-исследовательских институтов с заводами, которые бы работали один на другого, создавая последовательную цепочку для получения интегральных микросхем и аппаратуры на их основе. Сам по себе подход к комплексному решению научно — технических задач большого государственного значения и развития социальной структуры, т. е. строительство закрытых городов, был не нов. В те годы он широко применялся при создании атомной промышленности, ракетного полигона в Тюратаме, где вырос город Ленинск. Этот опыт был хорошо известен А.И., в том числе и как участнику таких работ, и был им теперь творчески использован и блестяще воплощен. Организационная структура управления научными коллективами, передающими свои результаты в производство, должна была быть подвижной, быстро реагировать на изменение требований общества и времени. Нигде в мире подобных комплексов электроники не было тогда, нет их за рубежом и сегодня.
И место, где можно создать такой центр было подобрано.