В июне 1963 года были организованы НИИ точной технологии, предназначенный для разработки интегральных схем по гибридной технологии с заводом "Ангстрем" (НИИТТ, директор В. С. Сергеев), НИИ материаловедения (НИИМВ, директор А. Ю. Малинин) с заводом "Элма" (электронные материалы) основным направлением работ которых были материалы для микроэлектроники. К концу 1963 года завершилось строительство первой очереди производственного корпуса завода "Элион", а в следующем году было создано первое предприятие по созданию монолитных интегральных схем НИИ молекулярной электроники (НИИ МЭ) с заводом "Микрон". Для работы с потребителями было предусмотрено Центральное бюро применений интегральных схем (ЦБПИМС), а поисковыми исследованиями должен был заниматься НИИ физических проблем. 28 декабря 1963 года А.И. подписал приказ об организации дирекции Центра Микроэлектроники (ДНЦ) и утвердил ее структуру.
Очень сложно для А.И. было убедить борцов за экономию в строительстве, что на предприятиях полупроводниковой промышленности внутренние стены должны быть облицованы непременно мрамором (на нем не оседает пыль), что применять конструкции из черных металлов по тем же требованиям вакуумной гигиены нельзя, что применением дорогой гранитной облицовки ступеней наружных лестниц и цоколей, не требующих ежегодного ремонта, достигается большая экономия при эксплуатации и т. д. и т. п. По многим совершенно очевидным для А.И., да и любого грамотного человека с государственным подходом вещам приходилось преодолевать сопротивление легионов безответственных чиновников, не пройдя которых нельзя было добраться до лица, способного принять нужное решение. Одним из рабочих моментов создания Зеленограда был визит туда летом 1964 года секретаря МГК КПСС Н. Г. Егорычева и председателя Исполкома Моссовета В. Ф. Промыслова, под чьей эгидой работало специально образованное Управление "Зеленоградстрой".
В 1965 году на предприятиях Центра микроэлектроники уже было введено в строй 60 тысяч квадратных метров площадей, работало несколько тысяч человек, усилиями которых была разработана и внедрена технология современных для того периода гибридных микросхем и начато их производство во введенных в строй корпусах завода "Ангстрем" — первого в стране специализированного завода по производству микросхем. По разработанной технологии был создан участок по производству планарных транзисторов "Плоскость", взятых из работы НИИ-35. В 1966 году сдали в эксплуатацию здание НИИМЭ, а его разработчиками были созданы технологии и начат выпуск первых серий полупроводниковых микросхем "Иртыш", (дифференциальная пара транзисторов), "Логика" (ДТЛ), "Микроватт"(РТЛ).
Эти работы выполняли люди, собранные в Зеленоград со всей страны из многих научных предприятий и учреждений. Сюда их привлекали возможность получения квартиры, московской прописки и конечно интересная работа в самом перспективном направлении науки. Правда, настоящих специалистов в области микроэлектроники еще не было, да и не могло быть. Одни становились ими в процессе работы, другие — только начали учиться в ВУЗах по вновь открытым специальностям.
Специалистов нужного профиля готовил основанный в 1962 году на базе Вечернего машиностроительного института Московский институт электронного машиностроения. На факультетах полупроводникового и электровакуумного машиностроения, автоматики и телемеханики, радиотехнический, прикладной математики обучались 6,5 тысяч студентов, работало 606 преподавателей и научных сотрудников (данные на 1978 год). Деятельность института была связана с такими известными учеными, как В. С. Семенихин, С. Н. Вернов, Н. Д. Девятков, С. А. Векшинский, и др.
А.И. считал необходимым, чтобы подготовка специалистов микроэлектроники проходила как можно ближе к Научному Центру, для чего нужно было создать учебный институт в самом Зеленограде. Наконец и эта мысль перешла в реальность — постановлением СМ СССР от 26 ноября 1965 года было образовано высшее учебное заведение по подготовке специалистов в области микроэлектроники — Московский институт электронной техники МИЭТ. ВУЗ начал функционировать по приказу Министерства высшего и среднего специального образования РСФСР 9 декабря 1965 года.