OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Имя параметра	Параметр	Значения по умолчанию	Единицы
LEVEL	Тип модели (1 = Curtice, 2 = Raytheon)	1
VTO	Барьерный потенциал	-2,5	В
ALPHA	Константа, определяющая зависимость тока стока, от напряжения сток-исток	2	B-1
В	Коэффициент легирования	0,3
BETA	Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением	0,1	А/В²
LAMBDA	Константа, учитывающая модуляцию длины канала	0	В-1
RG	Омическое сопротивление затвора	0	Ом
RD	Омическое сопротивление стока	0	Ом
RS	Омическое сопротивление истока	0	Ом
IS	Ток насыщения pn-затвора	1Е-14	А
M	Коэффициент лавинного умножения pn-затвора	0,5
N	Коэффициент эмиссии pn-затвора	1
VBI	Потенциал pn-затвора	1	В
CGD	Емкость затвор-сток при нулевом смещении	0	Ф
CGS	Емкость затвор-исток при нулевом смещении	0	Ф
CDS	Емкость сток-исток	0	Ф
TAU	Время переноса заряда	0
FC	Коэффициент нелинейности прямосмещенной барьерной емкости	0,5
VTOTC	Температурный коэффициент VTO	0
BETATCE	Температурный коэффициент BETA	0
KF	Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума	0
AF	Показатель спектральной плотности фликкер-шума	1

[площадь] — относительная площадь устройства, по умолчанию ее значение равно 1. Компонент GaAsFET, как показано на рис. D.1, смоделирован как встроенный полевой транзистор (FET) с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, второе омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком и третье омическое сопротивление RG — последовательно с затвором.[10]

Curtice и Raytheon представляют собой модели, названные по именам авторов. Описание приведено, соответственно, в работах:

[1] W. R. Curtice, «А MOSFET model for use in the design of GaAs integrated circuits», IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-28, 448-456 (1980).

[2] H. Statz, P. Newman, I. W. Smith, R. A. Pucel, and H. A. Haus, «GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE», IEEE Transactions on Electron Devices, ED-34,160-169 (1987). (Прим. переводчика.)

Рис. D.1. Модель для арсенид-галлиевых транзисторов GaAsFET

С — конденсатор

С<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]

Параметры модели	Параметр	Значения по умолчанию	Единицы
С	Коэффициент, на который умножается емкость	1
VC1	линейный коэффициент напряжения	0	B-1
VC2	квадратичный коэффициент напряжения	0	В-2
TC1	линейный коэффициент температуры	0	°C-1
ТС2	квадратичный коэффициент температуры	0	°C-2

Если [имя модели] отсутствует, то <значение> приведенное далее, представляет собой емкость в фарадах. Если [имя модели] задано, то емкость вычисляется по формуле

<3начение> C(I + VC₁·V + VC₂·V²)(I + TC₁(T – T_nom) + TC₂(T - T_nom)²),

где T_nom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.

D — диод

D<имя> <+узел> <-узел> <имя модели> [площадь]