OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

Имя параметра	Параметр	Значения по умолчанию	Единицы
IS	Ток насыщения pn-перехода	1Е-16	А
BF	Максимальный прямой коэффициент усиления для идеального транзистора	100
NF	Коэффициент эмиссии тока при прямом смещении	1
VAF(VA)	Напряжение Эрли при прямом смещении	Бесконечно большое	В
ISE (C2)	Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер	0	А
IKF (IK)	Ток, соответствующий перегибу в зависимости коэффициента усиления от тока коллектора	Бесконечно большое	А
NE	Коэффициент неидеальности перехода база-эмиттер	1,5
BR	Максимальный коэффициент усиления для идеального транзистора в инверсном режиме	1
NR	Коэффициент неидеальности в инверсном режиме	1
VAR (VB)	Напряжение Эрли в инверсном режиме	Бесконечно большое	В
IKR	Ток, соответствующий точке перегиба в зависимости коэффициента усиления от тока коллектора	Бесконечно большое	А
ISC (C4)	Ток насыщения утечки перехода база-коллектор	0	А
NC	Коэффициент неидеальности коллекторного перехода	2,0
RB	Объемное сопротивление базы при нулевом смещении (максимальное)	0	Ом
RBM	Минимальное сопротивление базы	RB	Ом
RE	Омическое сопротивление эмиттера	0	Ом
RC	Омическое сопротивление коллектора	0	Ом
CJE	Емкость перехода база-эмиттер при нулевом смещении	0	Ф
VJE(PE)	Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер	0,75	В
MJE(ME)	Градиентный коэффициент перехода база-эмиттер	0,33
CJC	Емкость перехода база-коллектор при нулевом смещении	0	Ф
VJC	Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор	0,75	В
MJC (МС)	Градиентный коэффициент перехода база-коллектор	0,33
XCJC	Доля Cbc, связанная с Rb	1
CJS	Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении	0	Ф
VJS(PS)	Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка	0,75
MJS (MS)	Градиентный коэффициент перехода коллектор-подложка	0
FC	Коэффициент конденсатора истощения прямого смещения	0,5
TF	Прямое время пролета для идеального транзистора	0	с
XTF	Коэффициент для времени пролета	0
VTF	Напряжение, характеризующее зависимость времени пролета от Vbc	Бесконечно большое	В
ITF	Ток, характеризующий зависимость времени пролета от Vbc	0	А
PTF	Дополнительный сдвиг фазы при частоте I/(2πTF) Гц	0	°
TR	Время обратного пролета для идеального транзистора	0	с
EG	Напряжение ширины запрещенной зоны (высота барьера)	1,11	эВ
XTB	Температурный коэффициент для BF и BR	0
XTI	Температурный коэффициент для IS	3
KF	Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума	0
AF	Показатель спектральной плотности фликкер-шума	1

BJT, что видно из рис. D.5, смоделирован как встроенный транзистор с омическим сопротивлением RC, включенным последовательно с коллектором, с переменным сопротивлением последовательно с базой и омическим сопротивлением RE последовательно с эмиттером. Узел подложки не обязателен, по умолчанию он заземляется, если не оговаривается другое соединение.

Рис. D.5. Модель полевого транзистора BJT

R — резистор