Расплетин

К 1964 году конфликт между возрастающими тактико-техническими требованиями к радиоэлектронным системам различного назначения и ее комплектующим изделиям стал особенно заметен.

Справедливости ради, следует отметить, что в таком уважаемом среди специалистов энциклопедическом словаре «Электроника» в статье «Микромодули» было написано:

Микромодули не получили распространения из-за низкой технологичности и сравнительно невысокой надежности и в конце 1960-х гг. были вытеснены интегральными схемами. Даже планарные транзисторы не решали проблем. Но они дали мощный толчок к появлению нового технологического направления — формированию множества планарных элементов на одном, небольшом по размеру полупроводниковом кремниевом кристалле. Появились первые твердотельные интегральные полупроводниковые схемы (ИПС) — логические специальные схемы общего применения «Изумруд ТТЛ», «Логика-2», «Индекс» и специальные схемы: «Инструмент МУ, УИ, ЭК», «Исполин-2», «Ишим» и «Микроватт».

На базе этих схем в КБ-1 были разработаны типовые цифровые ячейки, на четырехслойных печатных платах размером 176x75 миллиметров с количеством микросхем на плате (с двух сторон) — 66.

Вскоре появились гибридно-пленочные схемы общего применения «Терек-2» с числом элементов в схеме 13 и «Посол» с числом элементов 16.

К этому времени у Расплетина окончательно оформилось мнение о необходимости разработки унифицированной системы ПВО, впоследствии получившей обозначение С-300. Но один вопрос не давал покоя А. А Расплетину: на какой элементной базе следует проектировать новую систему ПВО? Чтобы решить этот вопрос, он предложил на базе разработанных цифровых ячеек в сжатые сроки провести исследовательскую конструкторско-технологическую разработку для выявления преимуществ аппаратуры на интегральных полупроводниковых схемах. На себя он возложил обязанность главного конструктора. Это был беспрецедентный случай, когда генеральный конструктор предприятия возлагает на себя функции главного конструктора НИР. Были разработаны цифровой аналоговый блок на гибридно-пленочных схемах (ГПС) и цифровой блок на ИПС и проведены сравнительные испытания, которые показали заметное уменьшение габаритов, массы, потребляемой мощности, а также повышение надежности аппаратуры.

Результаты разработки и испытаний блоков на НС в конце 1966 года были рассмотрены на НТС КБ-1, где было принято принципиально важное решение о широком применении в новых разработках (системе С-300) твердотельных интегральных схем.

А. А. Расплетин очень внимательно следил за развитием производства НС и РЭА как у нас в стране, так и за рубежом. На созданной в КБ-1 по его инициативе в 1954 году базовой кафедре МФТИ было организовано чтение лекций не только по основам радиолокации, но и по применению полупроводниковых схем в РЭА. Курс подготовили и читали в 1961–1964 годах заведующий кафедрой МФТИ при КБ-1 профессор А. А. Колосов и его ученик кандидат технических наук Ю. Е. Наумов. По рекомендации А. А. Расплетина материалы лекций были переработаны и выпущены в виде учебного пособия. Это была первая попытка в СССР систематического изложения вопросов, относящихся к полупроводниковым твердым схемам.

В 1966 году внимание А. А. Расплетина привлекла книга американской фирмы «Моторола» по принципам конструирования ИС. Наиболее ценными разделами, по мнению А. А. Расплетина, были главы, посвященные всем этапам изготовления ИС — от получения кристаллической пластины, на которой формируется ИС, до сборки этих схем в корпус. Расплетин попросил Колосова организовать перевод и выпуск книги. Это пособие по ИС было выпущено и пользовалось большой популярностью у разработчиков ИС и РЭА.

В 1964 году в Зеленограде было организовано первое предприятие по созданию монолитных интегральных схем — НИИ молекулярной электроники (НИИ МЭ) с заводом «Микрон» и начался выпуск по ТЗ КБ-1 базовых ИС 133-й серии (ТТЛ ИС). На первом этапе совместных работ было проведено более 20 ОКР, что привело к разработке нескольких серий микросхем различного назначения и различной степени интеграции. В КБ-1 был разработан технологический процесс изготовления МПП и сборки субблоков на интегральных полупроводниковых схемах.

ВЫБОРЫ В АКАДЕМИЮ НАУК