5.10. Опыты со сверхпроводниками. Взрывы выбивают стекла и магнитное поле из железных пластин
В ходе февральской и апрельской сессий проводились не только нудные опыты по оптимизации ЦУВИ. Попросил о помощи Слепцов из НИИВТ: он хотел определить критические токи в создаваемых его лабораторией высокотемпературных сверхпроводниках – микронной толщины пленках из YBa
В опытах (рис. 5.19) одновитковый соленоид из меди 1 окружал кольцо 2. Оба погружалось в жидкий азот 3, где кольцо и обретало сверхпроводимость. От арзамасского ВМГ снабженного узлом разрыва, в соленоиде 1 формировался импульс тока с коротким (в с огню наносекунд) фронтом. Индуктивность соленоида вначале мала, потому что внутри него находилась сверхпроводящая вставка, поэтому возрастание тока определяется только возможностями формирователя. Магнитное поле сосредотачивалось в узком зазоре между сверхпроводником и соленоидом: в сверхпроводник оно не могло проникнуть, потому что там индуцировался ток, полностью его компенсировавший, а в соленоид из меди хоть и проникало, но – медленно. Когда же гок в сверхпроводнике превышал критическое значение, возникал фазовый переход, по одну сторон которого пленка была еще сверхпроводящей, а по другую – проводила плохо. Фронт перехода двигался от периферии кольца к его оси и оказалось, что скорость его довольно велика (десяток километров в секунду или – сантиметр в микросекунду), но слабо зависит от индукции внешнего магнитного поля. Это позволяло за те доли микросекунды, пока магнитное поле «ест» сверхпроводимость имевшего ширину в несколько миллиметров кольца, успеть «накачать» существенную энергию в соленоид. Когда же фронт фазового перехода достигал внутренней границы кольца, ток, а значит, и магнитный момент менялись очень быстро. Оказалось, что эмиссия РЧЭМИ существенна, хотя и уступает по мощности излучению ЦУВИ почти два порядка.
Ценность сверхпроводникового излучателя состояла в том, что его можно было сделать невзрывным (например, получив импульс тока в соленоиде от кабельного формирователя), и в этом качестве использовать для исследований воздействия сверхширокополосного РЧЭМИ на электронику в лабораторных, а не полигонных условиях, что во многих случаях более удобно.
Результаты опытов по определению критических токов в сверхпроводниках были представлены на конференции в Самарканде. Был представлен на международной конференции и доклад об излучателе.