Справочник по параметрам BIOS

Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если достигли предела при разгонке модулей SDRAM.

SDRAM Trp Timing Value (Значение SDRAM по времени Trp)

Обычные опции: 2, 3, 4.

Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется RAS, чтобы обновиться перед активацией другой строки. Если время обновления tRP слишком велико, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, потому что новая строка будет активирована раньше.

Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. В таких случаях активная строка может потерять свое содержимое, так как оно возвращается в банк памяти, а строка деактивируется. Это может привести к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считывать данные из активной строки или записывать их.

Чтобы получить оптимальную производительность, уменьшите значение функции SDRAM Trp Timing Value до 2. Если система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение до 3 или 4.

SDRAM Bank-to-Bank Delay (Задержка данных при передаче между банками SDRAM)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR.

Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

SDRAM Trrd Timing Value (Значение SDRAM по времени Trrd)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR.

Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

SDRAM Write Recovery Time (Время восстановления при записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWR (Write Recovery Time – Время восстановления при записи) для модулей памяти.

Данная опция указывает задержку (в циклах) между завершением операции записи и моментом, когда активный банк может быть обновлен. Задержка необходима для того, чтобы гарантировать запись данных из буферов записи в ячейки памяти до обновления.

Чем меньше задержка, тем раньше банк может быть обновлен для другой операции чтения/записи (производительность повышается). Однако при этом увеличивается риск повреждения данных во время записи в ячейки памяти.

Рекомендуем выбрать значение 2 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR200 или DDR266, или значение 3 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR333 или DDR400. Вы можете уменьшить задержку, а в случае возникновения проблем – восстановить предыдущее значение.

SDRAM Write to Read Command Delay (Задержка команды записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWTR (Write Data In to Read Command Delay – Задержка команды при записи для чтения) для модулей памяти. Данная опция указывает минимальное количество циклов между последней операцией записи и следующей командой чтения для одного банка устройства DDR.

Опция 1 Cycle обеспечивает более быстрое переключение от чтения к записи, что ведет к повышению производительности.

Опция 2 Cycles уменьшает производительность при чтении, но улучшает стабильность системы, особенно при высоких скоростях. Кроме того, данная функция позволяет чипам памяти работать еще быстрее. Другими словами, увеличение задержки приводит к тому, что вы сможете разогнать модуль памяти сильнее, чем это возможно в обычных условиях.