Таблица 3.1. Мощность (кВт) токовых микросекундных импульсов, приводящих к выходу из строя полупроводниковых элементов различных классов.
При протекании импульсных токов возможны следующие повреждения:
– утрата диодами выпрямительных функций;
– интермодуляционные искажения;
– запирание (временная неработоспособность) микросхем;
– тепловой пробой;
– электрический пробой.
Вследствие утраты диодами своих функций, подвергаются воздействию и другие элементы. Воздействие возможно также через паразитные связи, наводки на соседних кабелях, путем ударного возбуждения колебаний на различных резонансных частотах. Подобный сигнал преобразуется в «видеоимпульс» нелинейными устройствами, такими как биполярные транзисторы, и, благодаря своей аномальной мощности, вызывает срыв передачи данных, сброс информации, а в некоторых случаях – приводящие к повреждениям наиболее чувствительных элементов перегрузки (таблица 3.2).Таблица 3.2. Эффекты деградации в электронных устройствах и их полупроводниковых компонентах в зависимости от величины напряженности электрического поля РЧЭМИ.
Интермодуляция возникает в близко расположенных схемах, или кабелях, когда суперпозиция сигналов, в сочетании с нелинейными эффектами, приводит к возникновению модулированного сигнала, влияющего на работоспособность системы.
Исследования стойкости электроники к воздействию РЧЭМИ весьма важны для противодействия РЧО. Российский «РАДАН» (рис. 3.23) – универсальный ускоритель, по утверждению его создателей способный генерировать УПИ, СШИ, а также излучение лазерного и рентгеновского диапазонов. Его вес – около 20 кг, он поставляется во многие страны, работает от автомобильных аккумуляторов.
«РАДАН» – источник РЧЭМИ ускорительного типа с лампой обратной волны
3.2.6. Воздействие РЧЭМИ на биообъекты
Тейлор и Гайри описали биологические последствия воздействия РЧЭМИ при поглощении его в кожных поверхностях. Некоторые из наблюдавшихся эффектов включали и хромосомные изменения, мутагенез, вирусную активацию и инактивацию (таблица 3.3.)