The Intel: как Роберт Нойс, Гордон Мур и Энди Гроув создали самую влиятельную компанию в мире

Въехав в практически пустое здание 1 апреля, мы оставили себе совсем мало времени на то, чтобы купить оборудование, установить его, заставить работать и продемонстрировать хотя бы простейшие процессоы. Последний этап удалось завершить лишь к 31 декабря, и то совместными усилиями всех работников».[78]

Таким образом, молодая компания начала новый год готовой фабрикой и проектом своего первого продукта, близким к завершению. Никто за пределами компании не представлял, что Intel движется такими темпами. Обозреватели подозревали, что основатели корпорации Intel скорее всего войдут в бизнес карт памяти; в конце концов, это было сильной стороной Fairchild. Но у них не было ни малейшего подозрения, чьему чипу памяти Intel станет конкурентом. Модель 3101 вроде бы давала ответ: Intel будет производить биполярный SRAM. Кремниевая долина затаила дыхание в предвкушении битвы за SRAM-технологии.

Почему же статический RAM? С самого начала в Intel полагали, что наибольшие возможности появятся в результате замены уже существующих карт памяти на магнитных сердечниках с полупроводниковыми чипами, созданных только для чтения (ROM), для поддержки программного обеспечения; или же запоминающих устройств с произвольным доступом (RAM), для поддержки сырья и обработанных данных. SRAM было довольно сложно производить на больших скоростях, так как они требовали как минимум шесть транзисторов на ячейку и оказывались сравнительно медленными в эксплуатации. Но в Intel знали, что смогут компенсировать скорость, потерянную на архитектурах, высокой скоростью, лежащей в основе физики биполярной технологии.

Когда (весной 1969 года) 3101 была представлена публике, все восемнадцать работников фирмы Intel (трое на костылях) собрались в кафетерии чтобы поднять бокалы шампанского за общий успех. Компания была готова начать – и показала всей индустрии, что она может стать серьезным конкурентом, инноватором, и с достаточной производительностью, чтобы достичь высоких скоростей производства и выйти на рынок в кратчайшие сроки. Однако страх перед высокой скоростью, которую показала корпорация Intel, несколько смягчался осознанием того, что фирма наметила своей целью предсказуемый рынок SRAM.

Но это была лишь коммерческая обманка. В течение нескольких месяцев Intel потряс мир, вначале представив классическую биполярную память с диодами Шотки (модель 3301), но в индустрии 1,024 бит, а затем, что поразило всех, модель 1101 SRAM, но на металл-оксид-проводник-технологии (МОП-технологии).

Что касается модели 3301, как и для других ранних технологий компании, толчком к ее созданию послужил заказ покупателя, желающего получить передовую модель и, в чем Intel была сильна, качественный дизайн. В этом было основное преимущество имиджа главного мозгового фонда полупроводниковой промышленности: все самые интересные идеи сначала приходили в Intel.

Модель 1101 поразила рынок не своим появлением, хотя по сравнению с конкурентами она и выглядела выдающейся, но своим неожиданным технологическим процессом. Когда все уже было решили, что Intel всего лишь еще одна компания, работающая с биполярными технологиями, был представлен серьезный продукт на МОП.

Почему МОП? Вот технические описание от Мура: «МОП-технология транзисторов, также называемая МОП с кремниевыми затворами, – это электродный вывод, через который проходит ток от металлических к неметаллическим частям электросхемы. В большинстве схем подача тока осуществляется через металлические проводники, однако в некоторых схемах ток проходит часть пути по неметаллическим проводникам, таким как кремниевая пленка. Новый процесс МОП предлагает принцип саморегистрации (это означает, что слой структуры автоматически выравнивается по слою, уже присоединенному к пластине), таким образом устройство может быть меньше и работать на более высоких частотах. Кроме того, это позволило нам свободнее работать с взаимосвязью между различными слоями».

Проще говоря, МОП не был так же быстр, как биполярные технологии, однако его было проще спроектировать и изготовить, и он мог быть меньше и обладать большей плотностью. Не менее важной деталью, как отметил Мур, был новый элемент дизайна транзистора – кремниевый затвор. Этот элемент упрощал процесс размещения слоев на поверхность чипа, при помощи использования области электрода каждого транзистора, как маскирующего элемента для легирования окружающих стока и истока области.