Н.
— Значит, в прилегающем к переходу пространстве областиЛ.
— Да, ты очень хорошо рассудил: Переход представляет собойВ этом тончайшем слое полупроводника потенциал ионизированных атомов резко переходит от положительного значения (в области
Н.
— Все это представляется мне совершенно ясным, но какая нам польза от этого перехода с его потенциальным барьером?Л.
— Ты сразу же ее обнаружишь, если приложишь кН.
— Я предполагаю, что мы получим ток, образуемый свободными электронами областиЛ.
— Возможно, ты прав, но ты слишком спешишь. Сначала необходимо рассмотреть порознь, что происходит в нашем полупроводнике сРис. 15.
Н.
— Хорошо. В областиЛ.
— Чтобы быть более точными, скажем, что положительный полюс источника будет притягивать к себе электрон каждый раз, когда другой электрон преодолеет переход, перепрыгнув из областиН.
— Следовательно, я был абсолютно прав, когда сказал, что возникает ток, образуемый электронами и дырками, перемещающимися в противоположных направлениях.Л.
— Да, это правильно, когда напряжение прикладывают, как мы это сейчас сделали, в прямом направлении, т. е. присоединяют положительный полюс источника к областиРис. 16.
Н.
— Почему же? Электроны отрицательного полюса источника притянут дырки области р ближе к концу кристалла полупроводника, а к другому концу кристалла положительный потенциал источника притянет свободные электроны. Вот неожиданность!.. Ведь при этом ни электроны, ни дырки не будут пересекать переход, а потенциальный барьер только увеличится, значит, никакого тока мы не получим!Л.
— Не я заставил тебя говорить это. Ты сам видел, что ток может установиться только при приложении прямого напряжения, когда положительный полюс соединяется с областью р, а отрицательный — с областью