Транзистор?.. Это очень просто!

Л. — Ты, мой друг, прав. И я должен сказать, что некоторые полевые транзисторы имеют крутизну 10 мА/В и даже выше. Я рад, что полевой эффект благотворно сказывается на тебе и стимулирует твои умственные способности… Чтобы полностью завершить эту тему, я добавлю, что существует особая разновидность этих транзисторов, сокращенно называемая МОП (от «металл-окисел-полупроводник»). В этих приборах зоны, образующие затвор, покрыты гонким слоем диэлектрика (двуокиси кремния), на который нанесен слой металла. Усиливаемые сигналы подаются на этот слой, образующий одну обкладку конденсатора; второй обкладкой служат зоны затвора. В полевых МОП транзисторах входное сопротивление практически бесконечно.

Н. — Но этого я не могу сказать о моем сопротивлении усталости. Остановимся на этом, чтобы все новые понятия в моем бедном мозгу пришли в порядок.

Беседа шестая ЦАРСТВО КРИВЫХ

Для того чтобы применять транзисторы, надо знать их основные характеристики. Последние, как и характеристики ламп, могут выражаться значениями основных параметров или в виде графиков, показывающих, как некоторые токи и напряжения изменяются в зависимости от других. Однако для транзисторов графическое изображение характеристик особенно ценно, ибо каждая переменная величина влияет на большинство других. Вот почему двое наших друзей проделают очень полезную работу, рассмотрев различные параметры и характеристики транзисторов.

_{Содержание: Схема для снятия характеристик. Характеристики Iб = f(Uб) и Iк = f(Uб). Крутизна. Усиление по току. Входное сопротивление. Связь между крутизной, внутренним сопротивлением и усилением по току. Насыщение. Семейство характеристик. Аналогия с пентодом. Предельная мощность. Выходное сопротивление. Определение параметров по семейству статических характеристик.}

Инициатива Незнайкина

Любознайкин. — Черт возьми! Что я вижу! Что означает это скопище измерительных приборов, батарей и потенциометров на твоем столе?

Незнайкин. — Очевидно, ты не видишь главного, и на это есть причины. Ведь рядом с вольтметрами и амперметрами транзистор выглядит совсем маленьким. А он тем не менее виновник сегодняшнего торжества.

Л. — Но какова цель всего этого нагромождения приборов?

Н. — А ты помнишь, как мы снимали характеристики электронных, ламп: изменения анодного тока в зависимости от сеточного напряжения или от анодного напряжения? Ну вот, я и хотел снять аналогичные характеристики для своего транзистора.

Л. — Похвальная инициатива! И тебе удалось достичь цели?

Н. — И да, и нет… Как видишь, достаточно уклончивый ответ. Но меня смущает тот факт, что у лампы мы учитывали три величины: анодный ток I_а, напряжение анод — катод U_аи напряжение сетка — катод U_c, а у транзистора нужно учитывать четыре: ток коллектора I_к, напряжение коллектор — эмиттер U_к, напряжение база — эмиттер U_б и ток базы I_б.

Л. — Все это правильно. Действительно, кроме исключительных случаев, лампы работают без сеточного тока. В транзисторах же ток базы играет первостепенную роль.

Рациональная схема

Н. — Вот схема, которую я придумал для снятия этих четырех величин (рис. 43).

Рис. 43.Схема, используемая для снятия характеристик транзистора.

Л. — Здесь я вижу потенциометр R₁, который служит для изменения по желанию напряжения между базой и эмиттером; это напряжение измеряется вольтметром U_б. Кроме того, у тебя есть потенциометр R₂, служащий для изменения напряжения коллектор — эмиттер, измеряемого вольтметром U_к. Ты измеряешь ток базы микроамперметром I_б, а ток коллектора — миллиамперметром I_к. Поздравляю тебя, Незнайкин: с твоей схемой можно проделать хорошую работу! Что же у тебя не ладится?

Н. — У меня складывается впечатление, что я стал жертвой той самой шутки, которую я еще мальчишкой проделывал с нашей кухаркой Меланьей.

Л. — В чем же заключалась твоя шутка?