Живой кристалл

Теоретики давно предсказывали, что, вообще говоря, осколки должны создавать в кристалле треки. А вот экспериментаторам трек в руки не давался. Надежно он был обнаружен лишь в 1959 г. с помощью электронного микроскопа в тонких пленках двуокиси урана, а затем и в кристаллах слюды, и двуокиси циркония, и в щелочно-галоидных, и во многих, многих иных кристаллах. Треки научились обнаруживать не только с помощью электронного микроскопа, в котором они видны потому, что в области собственно трека электроны поглощаются и рассеиваются не так, как в соседних областях.

Треки можно обнаружить и техникой травления, воспользовавшись тем, что искаженная область растравливается легче, чем соседние. На каждом из треков, пересекающих поверхность кристалла, при травлении будет формироваться характерная фигура, и ее можно увидеть с помощью обычного оптического микроскопа. В некоторых кристаллах эту фигуру легко спутать с фигурами травления на дислокациях, но опытный экспериментатор всегда найдет надежные основания для того, чтобы не обмануться.

Физики, изучающие формирование треков в кристалле, вот уже много лет озабочены вопросом: «Суждено ли осколку создать трек в кристалле данного типа?» К сожалению, этот вопрос пока остается без исчерпывающего ответа. Нет еще оснований, зная характеристики осколка и кристалла, в котором он движется, ответить на заданный вопрос словами «да!» или «нет!». Из общих соображений ясно, что трек возникнет лишь в случае, если теряемая им энергия будет сосредоточена в малом объеме, примыкающем к траектории полета, и, следовательно, плотность выделяющейся энергии будет велика и может оказаться достаточной для локального разрушения кристалла, т. е. создания трека.

Самое важное, что удалось установить теоретикам в поисках ответа на вопрос «суждено ли?», состоит в том, что львиную долю, почти 99 %, своей энергии осколок теряет на взаимодействие с электронами. Так как обнаруживаемые экспериментаторами треки — это области искажения решетки, задача сводится к тому, чтобы понять, как энергию, полученную от осколка, электроны передают решетке... Если передают!

Мы подошли к началу лесенки, ведущей в бесконечно интересную проблему формирования дефекта под влиянием облучения. Говорят так: радиационного дефекта. Откажем себе в удовольствии пойти по этой лесенке. Для этого, быть может, представится случай в другой книге, а сейчас, в связи с разговором о треках, поговорим лишь о двух ситуациях, которые отчетливо выяснились при теоретическом исследовании проблемы «суждено ли?».

Первая ситуация осуществляется, когда осколок движется в металлическом кристалле, который можно представить как совокупность двух подсистем: свободные электроны и ионы. Все происходящее в этом случае легко понять, учитывая следующее: электроны получают от осколка энергию, почти в 10² раз большую, чем ионы решетки; теплоемкость электронного газа почти в 10² меньше, чем теплоемкость решетки; масса иона почти в 10⁵ раз больше массы электрона. Три приведенные цифры означают, что электроны, получив много энергии и обладая малой теплоемкостью, нагреются до очень высокой температуры, а поделиться ею с ионами, которые в десятки тысяч раз тяжелее, электроны практически не смогут, как не делится своей энергией с «тяжелой» стенкой легкий мячик, который ударяется и отскакивает от нее с практически неизменившейся скоростью, а значит, и энергией. Электроны, которые были поблизости от траектории осколка, благодаря своей подвижности скоро рассеют полученную энергию между себе подобными, а решетка, не получив энергии, останется «холодной», невозмущенной, бездефектной. Точнее говоря, решетка какую-то долю энергии получит. Однако эта энергия будет распределена в таком большом объеме, что нагреется решетка незначительно.

Такая неожиданная ситуация складывается в металле: атомный взрыв происходит, а последствий в кристалле никаких! Теоретики это предвидели, экспериментаторы в этом убедились! Говорят так: чистые, совершенные металлы значительно более радиационно стойки, чем, например, диэлектрики.

Вторая ситуация осуществляется, когда осколок движется в ионном кристалле типа NаСl. В таком кристалле, как известно, свободных электронов нет. Все они «приписаны» к определенным ионам, которые размещены в узлах решетки. Кристалл состоит из ионов двух сортов: у ионов одного сорта имеется лишний электрон, а у ионов другого сорта одного электрона недостает по сравнению с тем количеством, которое необходимо для нейтрализации заряда ядра. В кристалле они представлены поровну, и поэтому он электрически нейтрален.