Журнал «Компьютерра» № 35 от 25 сентября 2007 года

Так поступили ученые и на сей раз, накопив около 20 млн. позитронов, полученных в результате распада натрия-22. Затем все их «выплеснули» на тонкий слой пористого кварца. Пористый кварц необходим в качестве источника электронов для образования позитрония и как поглотитель лишней энергии, выделяющейся при образовании атомов позитрония, а затем и молекул из них. Позитроний образуется на поверхности пор, которая его стабилизирует и удерживает. Специальная конструкция установки позволила добиться высокой концентрации позитрония в порах, и прежде чем он аннигилировал, успело образоваться около ста тысяч молекул позитрония Ps2. Это удалось доказать, измерив зависимость скорости аннигиляции позитрония от температуры. Молекулы позитрония не очень похожи на обычные молекулы. Они представляют собой некий «суп» из четырех частиц одинаковой массы и аннигилируют быстрее атомов, поскольку в них антивеществу легче встретиться с веществом. А чем выше температура кварца, тем меньше шансов на образование молекул. Поэтому зарегистрированное снижение скорости аннигиляции с ростом температуры косвенно, но достаточно надежно свидетельствует о том, что молекулы из позитрония все-таки образуются.

Первооткрыватели считают, что дальнейшее совершенствование технологии и повышение концентрации позитрония позволит получать из него более сложные молекулы и даже кристаллы, а охлаждение до 15 градусов Кельвина приведет к образованию из позитрония конденсата Бозе-Эйнштейна. Тут можно надеяться на новые интересные результаты в физике и химии антивещества. А поскольку позитроний – очень мощный источник энергии, можно рассчитывать на создание гамма-лазера, способного «просвечивать» фотонами атомные ядра. ГА

Лямка прогресса

Любопытное приспособление для подзарядки мобильных устройств предложили ученые из Аризонского университета в Темпе, Мичиганского технологического университета в Хоутоне и небольшой компании NanoSonic. Новые лямки для рюкзака способны если не решить проблему, то хотя бы облегчить тяжкую аккумуляторную ношу путешественников и военных.

По статистике, в склонной к всяческим инновациям американской промышленности внедряются в основном те изобретения, которые имеют не больше двадцати процентов новизны. Слишком велик риск, если надо все переделывать, поэтому конструкторы предпочитают что-то менять, ничего не меняя. Вот и в новом рюкзаке, предназначенном для американских пехотинцев, нужно поменять только лямки. Тогда он будет генерировать около 46 мВт энергии, если стандартные сто фунтов (45 кг) нести со скоростью 3—5 километров в час.

Лямки изготовлены из поливинилиденфторида (PVDF) – внешне похожего на нейлон, прочного и гибкого материала, который обладает пьезоэлектрическими свойствами. При ходьбе из-за перемещений туловища вверх и вниз натяжение и длина упругих лямок постоянно меняются, что используется для генерации электроэнергии. Самым трудным при изготовлении лямок был подбор токопроводящего покрытия для снятия вырабатываемых пьезоэлектриком зарядов. Электрод должен быть достаточно надежным и прочным. Для этих целей подошел разработанный в NanoSonic нанокомпозит MetalRubber толщиной 100 нм, способный растягиваться до десяти раз без потери проводящих свойств.

Это далеко не первый и не слишком эффективный рюкзак, способный вырабатывать электричество. Два года тому назад «КТ» писала о рюкзаке (#606), который в тех же условиях способен вырабатывать больше 7 Вт. Но там нужно менять всю конструкцию, обеспечив перемещение поклажи относительно станка на 5—7 см, а тут достаточно пришить новые лямки. Конечно, 46 мВ хватит лишь на то, чтобы работал фонарик или mp3-плеер, а чтобы минуту поговорить по сотовому телефону, придется в десять раз дольше заряжать аккумулятор. Это, конечно, лучше, чем ничего, но изобретателям еще есть над чем поработать. ГА

Чипы на столбах

Простой и недорогой способ изготовления из углеродных нанотрубок электронных схем любой сложности предложили ученые Тель-Авивского университета. Их метод позволяет размещать нанотрубки на любой подходящей поверхности и хорошо совместим с сегодняшними технологиями массового производства интегральных схем.

Первые образцы транзисторов и других электронных и логических блоков из углеродных нанотрубок и иных больших молекул были продемонстрированы около десяти лет тому назад, но проблема создания из них полноценных чипов до сих пор не решена. Как миллионы нанотрубок с нужными свойствами поместить в определенные места чипа, надежно прикрепить к другим компонентам схемы и проконтролировать их качество? А ведь одна-единственная ошибка, как правило, ведет к выбраковке всего устройства. В лабораториях давно пытаются отработать самые разные технологии – от выращивания нанотрубок сразу в нужном месте чипа до осаждения их из раствора. Но пока ни одна из методик не достигла нужных кондиций.