Журнал «Компьютерра» № 8 от 28 февраля 2006 года

Выяснилось, что Microsoft нашла причину неполадки в своем драйвере USB 2.0 для Windows XP SP2 еще в июле прошлого года, однако призналась в этом сугубо приватно, в закрытой статье «Базы знаний» KB899179, предназначенной лишь для близких партнеров и вендоров. Для широкой же публики оглашение подобной информации, судя по всему, было сочтено нецелесообразным. И лишь после того, как проблема встала во весь рост, а один из участников онлайнового форума Slashdot выставил KB899179 на всеобщее обозрение, корпорации пришлось шевелиться.

Установлено, что «кривой» драйвер не позволяет ноутбуку корректно использовать энергосберегающие режимы, когда к порту USB подключена какая-либо периферия. В давней статье KB899179 продавцам и сборщикам компьютеров рекомендуется исправлять этот баг путем редактирования ключей реестра Windows, однако позже выяснилось, что данный метод подходит не для всех аппаратных конфигураций. Теперь в Microsoft наконец собираются выпустить программный патч. — Б.К.

Счет пошел на ангстремы

Важный результат анонсировали ученые корпорации IBM на прошедшей в Сан-Хосе (Калифорния) технологической конференции «Микролитография 2006». На экспериментальной установке иммерсионной фотолитографии с традиционным лазером с длиной волны 193 нм им впервые удалось изготовить на кремниевом чипе высококачественную решетку из линий с шагом всего 29,9 нм. Это значение всего на семь процентов меньше, чем считавшиеся ранее предельными 32 нм. Но, по словам руководителя отделения литографических материалов Альмаденского исследовательского центра Роберта Аллена (Robert Allen), оно «дает полупроводниковой индустрии по крайней мере семь лет передышки, прежде чем потребуются радикальные изменения в технологии производства чипов».

Идее задействовать жидкость для улучшения качества изображения уже 165 лет. Еще в те давние времена флорентийский физик Джованни Батиста Амичи использовал помещенную на образец капельку воды для повышения разрешающей способности микроскопа. Дело в том, что дифракция электромагнитных волн не позволяет разглядеть объекты меньше, чем половина длины волны (при фотолитографии с помощью интерференции сдвинутых по фазе световых волн этот предел снижается вдвое). Но в твердых телах и жидкостях длина волны уменьшается с ростом величины показателя преломления, что и позволяет обойти дифракционный предел.

Об этом старом способе технологам пришлось вспомнить еще в 2002 году, когда стало ясно, что переход с используемой сегодня фотолитографии глубокого ультрафиолета с 193-нанометровыми лазерами на более короткие волны (157 нм) несет огромные технологические сложности. Загвоздка в том, что чем короче длина волны, тем больше энергия фотона и тем легче ему выбить электрон из материала. Этот переход очень резок. Поэтому если на 193 нанометрах не возникает больших проблем с выбором материалов для линз и других оптических компонентов установок фотолитографии, то уже на 157 нанометрах можно использовать линзы лишь из капризного флюорита (фторида кальция) и некоторых других веществ, а, например, вода и вовсе становится непрозрачной.

В установках иммерсионной фотолитографии при засветке светочувствительного слоя, нанесенного на поверхность кремниевого чипа, между этим слоем и линзой помещается очищенная вода или другая жидкость с высоким показателем преломления. Такой прием позволяет уменьшить длину волны света, действующего на слой, не меняя лазера. Несколько лет исследований помогли решить ряд возникающих при этом проблем вроде очистки жидкости от газовых пузырьков. И уже в позапрошлом году в IBM с помощью иммерсионной фотолитографии была изготовлена экспериментальная партия процессоров.

Однако предельные возможности иммерсионной фотолитографии остаются неясными; они ограничены величиной показателя преломления линз, жидкости и светочувствительного слоя. Предполагалось, что чипы с элементами, меньшими 32 нм, получить не удастся. Начался интенсивный поиск подходящих материалов с большим показателем преломления. В новой разработке IBM показатель преломления линз и жидкости был около 1,6, а фоточувствительного слоя — 1,7, что позволило преодолеть заветный рубеж. По мнению авторов доклада, и это не предел. Вполне реально использование материалов с показателем преломления 1,9.

Согласно прогнозам, иммерсионная фотолитография войдет в массовое производство уже в ближайшие четыре года. Это позволит полупроводниковой промышленности сэкономить миллиарды долларов и избежать рисков резкого перехода на новые, плохо отработанные технологии. Злые языки утверждают, что иммерсионная фотолитография даже сделает неактуальными дорогостоящие разработки Intel по литографии на жестком ультрафиолете с длиной волны 13 нм (и работы самой IBM по рентгеновской литографии). Они просто останутся невостребованными, поскольку к тому времени, когда в них возникнет коммерческая надобность, появятся более совершенные технологии. — Г.А.

Шум в эфире