Читаем Большая энциклопедия техники полностью

Фазоинвертор – электрическое устройство, которое преобразует одно входное напряжение в два напряжения, по фазе сдвинутые на 180°. Элементарными фазоинверторами являются электрический трансформатор с симметричной вторичной обмоткой, которая имеет отвод от средней точки. Часто в качестве фазоинверторов применяют колебательный контур, у которого есть отвод от средних точек в емкостной или индуктивной ветвях от общей точки двух последовательно включенных конденсаторов или от средней точки катушки индуктивности. В радиотехнических устройствах широкое распространение получили ламповые, а позднее – транзисторные фазоинверторы с разделенной нагрузкой. В подобных фазоинверторах выходные сигналы на коллекторе и эмиттере обладают разной полярностью, т. е. сдвинуты по фазе на 180°. Существуют и другие фазоинверторы, например, собранные на лампе по схеме с общей сеткой или с общим катодом, а также на составных транзисторах. Фазоинверторы применяют и в устройствах вычислительной техники, измерительной аппаратуре и др.

Фотодиод

Фотодиод – полупроводниковый диод, который при воздействии на него оптического излучения обладает свойством односторонней фотопроводимости. Фотодиод представляет собой полупроводниковый кристалл, как правило, с электронно-дырочным переходом, снабженный двумя металлическими выводами и вмонтированный в пластмассовый или металлический защитный корпус. Материалами, из которых изготавливаются фотодиоды, служат GaAs, Ge, Si, HgCdTe и др.

Различают два режима работы фотодиодов: фотодиодный, когда во внешней цепи фотодиода имеется источник постоянного тока, который создает обратное смещение на р-n-переходе, и вентильный, когда подобный источник отсутствует.

В фотодиодном режиме фотодиоды применяют для управления электрическим током в цепи фотодиода в соответствии с переменой интенсивности падающего излучения.

Образующиеся под воздействием излучения неосновные носители проходят через р-n-переход и ослабляют его электрическое поле.

Фототок в фотодиоде линейно зависит от интенсивности падающего излучения в широких пределах и почти не зависит от напряжения смещения.

В вентильном режиме фотодиоды, как и полупроводниковые фотоэлементы, применяют в качестве генератора фотоЭДС.

Основными параметрами фотодиодов являются:

  1) порог чувствительности – величина минимального сигнала, который фиксируется фотодиодом, отнесенная к единице полосы рабочих частот, достигает 10—14 Вт/Гц;

  2) уровень шумов – не выше 10—9 А;

  3) область спектральной чувствительности находится в пределах 0,3—15 мкм;

  4) спектральная чувствительность, т. е. отношение фототока к потоку с известной длиной волны падающего монохроматического излучения, составляет 0,5—1 А/Вт;

  5) инерционность – время установления фототока, порядка 10-7—10-8 с.

В лавинном фотодиоде, который представляет собой разновидность фотодиода с р-n-структурой, применяют лавинное умножение тока в р-n-переходе для увеличения чувствительности, базирующееся на ударной ионизации атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 102—104. Существуют также фотодиоды с р-i-n-структурой; по сравнению с фотодиодами с р-n-структурой они имеют гораздо меньшую инерционность (до 10-10 с).

Фотодиоды находят применение в вычислительной технике, устройствах автоматики, лазерной технике, измерительной технике и т. п.

Фоторезистор

Фоторезистор – полупроводниковый прибор, который под воздействием оптического излучения характеризуется свойством менять свое электрическое сопротивление. Через фоторезистор, который включен в электрическую цепь, имеющую источник постоянного тока, течет электрический ток.

При облучении фоторезистора в результате появления фототока увеличивается ток. Фототок пропорционален уровню действующего сигнала и не зависит от полярности напряжения, приложенного к фоторезистору. Появление фототока применяется для регистрации излучений.

Для создания фоторезисторов применяют Ge (чистый либо легированный Au, Cu или Zn), Se, Te, Si, InSb, InAs, PbS, PbSe, PbTe, CdS, CdSe, HgCdTe. Характерная особенность данных полупроводниковых материалов – небольшая ширина запрещенной зоны. Полупроводник наносят тонким слоем на кварцевую или стеклянную подложку либо вырезают из монокристалла в виде тонкой пластинки. Слой или пластинку комплектуют двумя электродами. Подложку или пластинку с фоточувствительным слоем и электроды помещают в защитный корпус.

Перейти на страницу:

Похожие книги

100 великих рекордов стихий
100 великих рекордов стихий

Если приглядеться к статистике природных аномалий хотя бы за последние два-три года, станет очевидно: наша планета пустилась во все тяжкие и, как пугают нас последователи Нострадамуса, того и гляди «налетит на небесную ось». Катаклизмы и необъяснимые явления следуют друг за другом, они стали случаться даже в тех районах Земли, где люди отроду не знали никаких природных напастей. Не исключено, что скоро Земля не сможет носить на себе почти 7-миллиардное население, и оно должно будет сократиться в несколько раз с помощью тех же природных катастроф! А может, лучше человечеству не доводить Землю до такого состояния?В этой книге рассказывается о рекордах бедствий и необъяснимых природных явлений, которые сотрясали нашу планету и поражали человечество на протяжении его истории.

Николай Николаевич Непомнящий

Геология и география / Энциклопедии / Словари и Энциклопедии