Читаем Большая Советская Энциклопедия (ЭП) полностью

Эпитакси'я (от эпи... и греч. t'axis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, сфалерита и решётки типа алмаза .

  Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа корунда и алмаза.

  При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (111) Si//[1100] (0001) Al2 O3 . Это означает, что грань (111) кристалла Si (решётка типа алмаза) нарастает параллельно грани (0001) кристалла Al2 O3 (решётка типа корунда), причём кристаллографическое направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. Кристаллы ).

  Э. особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. дислокации несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решёток (например, изменяя состав вещества). Таким же путём можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя.

  Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для Au на Ag это~ 600 ), нарастает плёнка с собственной структурой.

  Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э. зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты её поверхности и других условий кристаллизации. Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная плёнка.

  Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отдельных кристалликов, которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную плёнку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например [100] (100) Au//[100] (100) NaCl и [110] (111) Au //[110] (100) NaCl.

  Э. широко используется в микроэлектронике (транзисторы , интегральные схемы , светодиоды и т. д.); в квантовой электронике — многослойные полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход ), инжекционные лазеры , в устройствах интегральной оптики в вычислительной технике (магнитные элементы памяти с цилиндрическими доменами) и т. п.

  Лит.: Палатник Л. С., Папиров И. И., Ориентированная кристаллизация, М., 1964; их же, Эпитаксиальные пленки, М.,1971.

  А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов.

<p>Эпитафия</p>

Эпита'фия (от греч. epit'aphios — надгробный), надмогильная надпись, преимущественно стихотворная: небольшое стихотворение, обычно с обращением к покойнику или от покойника к прохожим («Прохожий, стой!...» и т. п.). Существовала и как реальная надпись и как фиктивная (в сборнике стихов). В европейской литературе Э. появляется как разновидность античной эпиграммы (у Симонида Кеосского, 5 в. до н. э., и др.); как литературно-художественный жанр пользуется популярностью в эпоху средних веков, Возрождения и классицизма, затем постепенно выходит из употребления; дольше других живёт пародическая, сатирическая Э., близкая к эпиграмме нового времени (например, у Р. Бёрнса). В новое время реальные Э., имеющие художественное достоинство, — редкое явление (Э. борцам революции на Марсовом поле А. В. Луначарского).

<p>Эпителий</p>

Эпите'лий (от эпи... и греч. thel'e — сосок),

Перейти на страницу:

Похожие книги

100 великих интриг
100 великих интриг

Нередко политические интриги становятся главными двигателями истории. Заговоры, покушения, провокации, аресты, казни, бунты и военные перевороты – все эти события могут составлять только часть одной, хитро спланированной, интриги, начинавшейся с короткой записки, вовремя произнесенной фразы или многозначительного молчания во время важной беседы царствующих особ и закончившейся грандиозным сломом целой эпохи.Суд над Сократом, заговор Катилины, Цезарь и Клеопатра, интриги Мессалины, мрачная слава Старца Горы, заговор Пацци, Варфоломеевская ночь, убийство Валленштейна, таинственная смерть Людвига Баварского, загадки Нюрнбергского процесса… Об этом и многом другом рассказывает очередная книга серии.

Виктор Николаевич Еремин

Биографии и Мемуары / История / Энциклопедии / Образование и наука / Словари и Энциклопедии