Читаем Искусство схемотехники. Том 2 (Изд.4-е) полностью

Из изложенного ясно, что увеличение fср за счет увеличения токов коллекторов, подбора более быстродействующих транзисторов и т. д. увеличивает скорость нарастания. Конечно, всегда желательно иметь большое значение fср, и это хорошо известно разработчику ИС, который конечно же сделал, проектируя кристалл, все, что мог. Тем не менее существует способ обойти ограничение S = 0,3fср, и он основан на том, что крутизна определяется значением Iэ (gm = Iэ/2UT). Можно использовать простой прием для увеличения Iэ (и соответственно скорости нарастания при фиксированном значении fср, а в силу этого и при фиксированной форме частотной характеристики).

Проще всего добавить некоторое сопротивление в эмиттерную цепь дифференциального входного каскада. Предположим, что мы сделали что-нибудь в этом роде, в результате чего Iэ вырос в m раз при постоянном значении gm. Повторив приведенные выше выкладки, получим S = 0,3mfср.

Упражнение 7.1. Покажите, что описанный прием дает указанный эффект.

Увеличение скорости нарастания. Итак, существует несколько способов получения высокой скорости нарастания: а) применить ОУ с большим fср; б) увеличить fср за счет уменьшения емкости конденсатора частотной коррекции; конечно, это возможно только в тех схемах, где коэффициент усиления при замкнутом контуре обратной связи больше единицы; в) уменьшить крутизну входного каскада gm, добавив в эмиттерную цепь дополнительные резисторы, а затем пропорционально увеличить Iэ или уменьшить С; г) изменить схему входного каскада.

Третий способ (уменьшение gm) применяется во многих ОУ. Например, НА2605 и НА2505 почти одинаковы, но НА2505. содержит эмиттерные резисторы во входном каскаде, которые увеличивают скорость нарастания ценой уменьшения коэффициента усиления разомкнутого контура. Это иллюстрируется приводимыми данными. ПТ ОУ с их малым gm входного каскада имеют более высокую скорость нарастания по тем же причинам.

Четвертый способ состоит в применении «перекрестно-сдвоенного уменьшения крутизны», для которого требуется введение в схему входного каскада целого дополнительного набора транзисторов, болтающихся без дела при малых значениях сигнала, но всегда готовых, если нужно, дать дополнительный ток. Это дает выигрыш в виде улучшения характеристик ОУ по шумам и смещению, достающийся ценой некоторого усложнения схемы по сравнению с простой добавкой эмиттерных резисторов. Данный прием применяется в изделиях фирм Harris НА5141 и НА5151, Raytheon 4531, Signetics 535 и 538 для увеличения скорости нарастания при больших дифференциальных входных сигналах. Зависимость скорости нарастания от входного дифференциального сигнала показана на рис. 7.9.

Рис. 7.9.

Полоса пропускания и время установления. Скорость нарастания — это показатель того, насколько быстро может изменяться напряжение выходного сигнала. Спецификация ОУ по скорости нарастания дается обычно в предположении большого дифференциального входного напряжения (60 мВ и более), что вполне оправдано: при обычно встречающихся на практике значениях петлевого усиления ОУ, выходное напряжение которого отличается от того, которое, должно быть, будет испытывать на входе сильное воздействие сигнала по цепи обратной связи. В высокоскоростных прецизионных схемах не менее важно время установления выходного сигнала на том значении, к которому оно стремится, следуя за изменением входного. Этот параметр — время установления (время, необходимое для установления выходного сигнала с заданной точностью на окончательное значение, см. рис. 7.10) — всегда приводится в паспортах таких устройств как цифро-аналоговые преобразователи, где точность — суть игры, а для ОУ он обычно не указывается.

Рис. 7.10. Определение времени установки. * Иногда определяется при Uвых = логический порог или при Uвых = 0,5Uконечн.

Мы сможем оценить время установления ОУ, рассмотрев вначале другую проблему, а именно: что произойдет с идеальным скачком напряжения в некоторой цепи, нагруженной на простой RC-фильтр низкой частоты (рис. 7.11).

Рис. 7.11.Время установления RС-фильтра нижних частот.

Несложно вычислить, что отфильтрованный сигнал будет иметь время установления, указанное на этом рисунке. Это действительно важный результат, поскольку часто мы ограничиваем при помощи фильтра полосу пропускания, чтобы уменьшить шум (об этом еще будет сказано в этой главе).

Распространяя этот простой результат на ОУ, достаточно вспомнить, что ОУ с частотной коррекцией имеет спад 6 дБ/октава, точно так же, как и НЧ-фильтр. При включении ОУ в схему с ОС, имеющую коэффициент усиления К, ее «полоса пропускания» (частота, на которой петлевое усиление падает до единицы) приближенно определяется выражением:

f-ЗдБ = fcp/K.

Перейти на страницу:

Похожие книги

Помпеи и Геркуланум
Помпеи и Геркуланум

Трагической участи Помпей и Геркуланума посвящено немало литературных произведений. Трудно представить себе человека, не почерпнувшего хотя бы кратких сведений о древних италийских городах, погибших во время извержения Везувия летом 79 года. Катастрофа разделила их историю на два этапа, последний из которых, в частности раскопки и создание музея под открытым небом, представлен почти во всех уже известных изданиях. Данная книга также познакомит читателя с разрушенными городами, но уделив гораздо большее внимание живым. Картины из жизни Помпей и Геркуланума воссозданы на основе исторических сочинений Плиния Старшего, Плиния Младшего, Цицерона, Тита Ливия, Тацита, Страбона, стихотворной классики, Марциала, Ювенала, Овидия, великолепной сатиры Петрония. Ссылки на работы русских исследователей В. Классовского и А. Левшина, побывавших в Южной Италии в начале XIX века, проиллюстрированы их планами и рисунками.

Елена Николаевна Грицак

Искусство и Дизайн / Скульптура и архитектура / История / Прочее / Техника / Архитектура
Как проектировать электронные схемы
Как проектировать электронные схемы

Данная книга представляет собой сборник практических рекомендаций по проектированию, изготовлению и наладке аналоговых и цифровых электронных схем различного назначения. Большое внимание уделено особенностям использования разнообразных электронных компонентов, вопросам разработки и изготовления печатных плат и корпусов, методике испытания устройств и поиска неисправностей. Приведено большое количество сравнительно простых цифровых и аналоговых схем. Отдельная глава посвящена решению типовых задач по программированию микропроцессоров и микроконтроллеров, представлены примеры полезных подпрограмм. Книга адресована как начинающим любителям электроники и радиотехники, так и профессионалам.  

Клод Галле

Техника / Радиоэлектроника / Технические науки / Образование и наука