Искусство схемотехники. Том 2 (Изд.4-е)

На средних и высоких частотах есть еще одна компонента шума, а именно действительная часть входного полного сопротивления со стороны затвора. Эта составляющая обусловлена действием емкости обратной связи (эффектом Миллера) при сдвиге фазы на выходе, порожденном емкостью нагрузки; иначе говоря, часть выходного, сигнала, сдвинутая по фазе на 90°, проходя через емкость обратной связи С_3C, создает эффективное сопротивление на входе

R = (1 + C_нR_н)/(²g_mC_3CC_нR²_н) Ом.

Например, p-канальный ПТ с p-n-переходом 2N5266 имеет ток шума 0,005 пА/Гц^1/2 и напряжение шума _еш 12 нВ/Гц^1/2 - то и другое при I_{СИ нас} и на частоте 10 кГц. Ток шума начинает ползти вверх при частоте около 50 кГц. Эти значения примерно в 100 раз лучше по i_ш и в 5 раз хуже по е_ш, чем соответствующие значения рассмотренного ранее 2N5087.

С помощью ПТ можно получить хорошие шумовые параметры в диапазоне полного сопротивления от 10 кОм до 100 МОм. Предусилитель фирмы PAR модели 116 имеет коэффициент шума 1 дБ и лучше при полном сопротивлении источника от 5 кОм до 10 МОм в диапазоне частот от 1 до 10 кГц. Этот предусилитель на умеренных частотах имеет напряжение шумов 4 нВ/Гц^1/2 и ток шумов 0,013 пА/Гц^1/2.

7.16. Выбор малошумящих транзисторов

Как упоминалось раньше, биполярные транзисторы из-за малого входного шума напряжения имеют наилучшие шумовые параметры при малых значениях сопротивления источника. Шум напряжения е_ш уменьшается путем выбора транзистора с малым объемным сопротивлением базы r_б и режима работы с большим током коллектора (пока h_21Э остается большим). При больших сопротивлениях источника надо, наоборот, уменьшать шум тока путем снижения тока коллектора.

При большом сопротивлении источника лучшим выбором является ПТ. Его шум напряжения может быть уменьшен увеличением тока стока до такого значения, когда крутизна будет наибольшей. ПТ, предназначенные для работы в малошумящих устройствах, имеют большое значение k (см. разд. 3.04), что обычно означает большую входную емкость.

Например, у малошумящего 2N6483 емкость С_зи = 20 пФ, а у слаботочного ПТ 2N5902 емкость С_зи= 2 пФ. На рис. 7.54 и 7.55 показаны сравнительные шумовые характеристики некоторых распространенных и широко используемых транзисторов.

Рис. 7.54. Входные шумы для некоторых популярных биполярных транзисторов.а — зависимость входного напряжения шума е_ш от тока коллектора; б — зависимость входного тока шума i_ш от тока коллектора; в — зависимость входного тока шума от частоты.

Рис. 7.55. Входные шумы некоторых популярных ПТ.а — зависимость входного напряжения шума е_ш от тока стока I_с; б — зависимость входного напряжения шума i_ш от частоты; в — зависимость входного тока шума i_ш от частоты.

7.17. Шум дифференциальных усилителей и усилителей с обратной связью

Малошумящие усилители часто делают дифференциальными, чтобы получить обычные преимущества в виде малого дрейфа и хорошего подавления синфазных сигналов. Когда подсчитываются шумовые характеристики дифференциального усилителя, надо помнить: а) следует убедиться, что для извлечения е_ш и i_ш из паспорта изготовителя берется отдельный ток коллектора, а не их сумма; б) i_ш, приходящийся на каждый входной зажим, тот же, что и для одновходового усилителя; в) е_ш, приходящееся на один вход при заземленном другом, будет на 3 дБ (т. е. в 2 раз) больше, чем в случае отдельного транзистора.

В усилителях с обратной связью мы хотим найти эквивалентные источники шума е_ш и i_ш независимо от того, есть ли цепь обратной связи, чтобы их можно было использовать, как и раньше, при подсчете шумовых характеристик с заданным источником сигнала. Обозначим шумы схемы с обратной связью через е_у и i_у как шумы усилителя. Тогда шум, вносимый усилителем в сигнал при сопротивлении источника R_и, будет

е² = е²_у + (R_иi_у)² B²/Гц.

Рассмотрим отдельно два вида обратной связи.

Неинвертирующий усилитель. Для неинвертирующего усилителя (рис. 7.56) источники шума на входе будут

i²_у = i²_ш

e²_у = e²_ш + 4кТ R_'' + (i_шR_'')²,

Рис. 7.56.

где е_ш- это «полный» шум напряжения дифференциальной схемы, т. е. на 3 дБ больший, чем для одиночного транзисторного каскада. Дополнительный вклад в шум дают тепловой шум и шум тока входного каскада в резисторах обратной связи. Заметим, что теперь эффективные значения шума напряжения и шума тока не будут абсолютно не коррелированными, следовательно, сложение их квадратов может привести к ошибке (не более чем в 1,4 раза).