-борат бария), который спонтанно расщепляет ультрафиолетовый фотон на пару запутанных инфракрасных фотонов.
команда фактически запутывает импульсы фотонов, это означает, что их положения в реальном месте (координаты), как показывает детектор, также запутаны. »[117]: «Мы работаем с простой, имеющейся в наличии оптикой, без потребности в голограммах или интерференционной стабильности, как в предыдущих экспериментах». Теперь команда планирует продемонстрировать запутанность пикселей в квантово-криптографических системах. «Мы также хотели бы использовать наши идеи, чтобы создать запутанные состояния, используя другие переменные, типа энергии и времени», — добавляет . все ближе подходят к реальным технологиям. Группа исследователей компании Хитачи, работающая в Кембриджском университете в Великобритании, в августе 2005 года сообщила[118] о разработке кремниевого чипа — первом шаге в развитии квантового компьютера, основанного на обычной кремниевой технологии. пространственная неоднородность), созданная на кремниевом кристалле, проявляет себя как со временем декогеренции, в 100 раз большим, чем предыдущая реализация в арсениде галлия. Методика создания квантовых точек уже отработана и может быть использована в стандартных (CMOS, — полупроводниковая технология, применяемая при изготовлении всех логических микросхем, включая микропроцессоры и ). Одного лишь создания кубита для построения квантового компьютера недостаточно, и кембриджская команда Хитачи произвела все базовые операции: инициализации; манипуляции — с помощью электронных ; измерения — с использованием одноэлектронных транзисторов. Это дает возможность наращивать число кубитов до большой квантовой схемы, что необходимо для создания полноценного квантового компьютера. ) позволяет формировать на поверхности подложки структуры различного функционального назначения. По этой технологии изготавливаются интегральные акселерометры (датчики ускорения), , селективные фильтры для биотехнологий и модуляторы света. системы создаются посредством комбинирования механических элементов, датчиков и электроники на общей кремниевой основе с использованием технологий . Все элементы могут быть реализованы в виде единого изделия — микросхемы на кремниевой пластине, причем выпускать их можно сразу десятками или сотнями. При этом в основе лежит уже апробированная традиционная технология производства полупроводниковых интегральных микросхем.