Министр невероятной промышленности

Чтобы сделать микросхемы действительно доступными, массовыми нужно было переходить на кремниевые пластины повышенного диаметра. Так поступали во всем мире: ведь удвоение диаметра пластин позволяло разместить на ней вчетверо больше кристаллов. Это вело к повышению производительности труда, резкому снижению стоимости приборов, но одновременно повышало требования к оборудованию. Без улучшения технологии выход годных кристаллов с больших пластин не вырос бы, если бы даже не стал ниже. Накопленный опыт эксплуатации первых линий "Корунд" позволил поставить задачу по разработке новых высокопроизводительных автоматизированных линий на пластинах повышенного диаметра (до 75 мм), предназначенных для оснащения предприятий в следующей пятилетке (1971 — 1975 гг.). Задача эта была очень сложная для всех предприятий, поскольку даже самые передовые НИИМЭ с заводом "Микрон" в 1968 году еще работали на пластинах диаметром 25 мм, и только что перешли на пластины диаметром 40 мм. Ответственность за создание необходимых материалов, и в первую очередь пластин кремния повышенного диаметра, была возложена на НИИМВ (директор А. Ю. Малинин).

К началу 70-х годов, за неполных два десятилетия развития микроэлектроника перешла к этапу создания больших интегральных схем — БИС, содержащих более 1000 элементов на одном кристалле. Она стала основной базой создания всех радиотехнических систем в стране, и каждый год число заявок на новые разработки увеличивалось. При этом заказы на разработку ИС от предприятий, занимающихся созданием близкой по задачам аппаратуры, могли сильно отличаться, даже если они относились к одному министерству. Военпреды твердо отстаивали позиции своих подопечных фирм, хотя основой для них служили "традиции построения аппаратуры на предприятии", вкусы разработчиков, образцы зарубежной техники. На заявочную кампанию 1971 года в один только НЦ поступило уже около 1000 предложений на разработку новых ИС. При тогдашнем уровне проектирования интегральных схем и технологии их производства удовлетворить все эти заявки было конечно же невозможно, в лучшем случае все НИИ и КБ смогли бы реализовать не более 20 % от числа заказов.

Для выхода из тупиковой ситуации были творчески использованы пути, по которым строились взаимоотношения с заказчиками остальной продукции электронной промышленности. Именно творчески, поскольку различие между интегральной схемой из хотя бы сотни транзисторов на кристалле с каким-нибудь трансформатором или приемо-усилительной лампой слишком велико. Однако, в результате скрупулезной работы специалистов ГНТУ, ЦБПИМСа, предприятий-разработчиков, включавшей частые выезды в заказывающие организации для ознакомления с замыслами главных конструкторов, деталями разработки, имеющимися образцами отечественной и зарубежной техники, стало возможным выработать общий подход к построению параметрических рядов ИС, которые вбирали в себя основные схемотехнические решения, присущие данному классу ИС и технологии их изготовления. Большую роль в достижении общего согласия сыграли военные из ЦНИИ-22 МО — ведущего института по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры военного назначения — и головной организации Министерства обороны, курирующей эти проблемы. Их руководители, генералы Р. П. Покровский, П. И. Сугробов, Е. Я. Чаловский, В. П. Балашов, были и настоящими инженерами.

Одним из первых примеров успешного построения параметрического ряда ИС была разработка номенклатуры приборов, обеспечивающих создание перспективных вычислительных комплексов: "Эльбрус", ЕС ЭВМ, СМ ЭВМ. Соглашение с их главными конструкторами: В. С. Бурцевым — директором ИТМ и ВТ Ларионовым А. М., а затем Пржиялковским В. В — директорами НИЦЭВТ, Наумовым Б. Н. - директором ИНЭУМ — было достигнуто непросто, но оно позволило немедленно приступить к реализации этих решений на предприятиях МЭП. Этот удачный опыт полностью подтвердил правильность выработанного подхода и постепенно он стал распространяться на разработки систем других назначений.

Таким вот образом удалось тогда сдержать безудержный рост номенклатуры ИС и избежать "тирании количества", не дать ей утопить не очень еще окрепшую микроэлектронику, и тем самым обеспечить выпуск современной аппаратуры на микросхемах.

Чтобы соответствовать уровню лучших достижений были начаты разработки нескольких наращиваемых рядов интегральных схем для радиосвязи, операционных усилителей, запоминающих устройств и многих других изделий, в каждом из которых было не менее полусотни типов ИС. Одни микросхемы обеспечивали очень высокое быстродействие, но при этом расходовали большую электрическую мощность, другие наоборот имели малое электропотребление, но обладали невысоким быстродействием. Были необходимы и схемы, обладающие средними параметрами. Так появились ИС серий 500, 100, 700, серии 155, 530, 531, 555, и другие, отличавшиеся технологиями. Прообразом для ряда быстродействующих схем серии 500 были взяты серии американских фирм Motorola, Texas Instruments и др.