Нанотехнологии. Правда и вымысел

С момента создания сканирующего туннельного, а затем и атомного силового микроскопа эти приборы из аналитических установок превратились в инструменты локального модифицирования и структурирования поверхностей на нанометровом уровне. Основные факторы данных технологических процессов определяют локальные электрические поля (сравнимые с внутримолекулярными и атомными), супервысокие плотности токов и вызываемое ими электродинамическое воздействие, а также сверхплотные локальные потоки теплоты и механические деформации.

Раздельное или совместное действие этих факторов может приводить к регистрируемой локальной наномодификации или наноструктурированию поверхностей. При использовании сканирующих зондовых микроскопов как источника электронов для экспонирования электронорезистов и последующего проявления в стандартных растворах достигается разрешение до 50 нм. Так, методом, основанным на переносе молекул с зонда на подложку посредством диффузии через мениск воды, разъединяющий зонд и подложку, были нанесены линии до 12 нм на расстоянии 5 нм одна от другой.

Путем термомеханического стимулирования фазового перехода «полимер — стекло» обеспечивается формирование углублений в пленках поликарбоната размером до 100 нм. Термомеханическая литография является базовой идеей создания терабитных запоминающих устройств, разработанных компанией IBM.

Широкое распространение в зондовой литографии получил метод локального зондового окисления (оксидирования), который позволяет создавать оксидные области с типичными линейными размерами 3 нм (рис. 59).

Рис. 59. Схема процесса локальной нанолитографии (оксидирования)

Локальный управляемый межэлектродный поатомный массоперенос с применением силового туннельного микроскопа — в настоящее время единственный метод получения предельной миниатюризации при формировании наноразмерных объектов. Пример полученного изображения был ранее представлен на рис. 4, при этом полутона формируются поточечным оксидированием (с различным потенциалом) поверхности.

В настоящее время рассматриваются некоторые потенциальные технологии создания наноэлектрических приборов: лазерная 193-нм литография, имеющая возможности преодолеть дифракционный предел, экстремальная ультрафиолетовая литография (ЭУФЛ) с длиной волны 13 нм, а также печатная литография (наноимпринтинг).

В августе 2006 года в Колледж научных наноисследований и разработок (College ofNanoscale Science andEngineering (CNSE)) при Университете Олбани (США) голландской компанией ASML совместно с Nikon впервые в мире были поставлены установки ЭУФЛ — Alpha Demo Tool (ADT) стоимостью 65 млн долларов. Это оборудование было предназначено не для производства, а только для исследовательских целей. Установку интегрировали в нанотехнологический комплекс (Albany NanoTech Complex) международного промышленно-университетского консорциума International Venture for Nanolithography (Invent). Членами глобального консорциума Invent являются такие лидеры мирового рынка электронной техники, как IBM, AMD, Qimonda и Micron Technology. При этом в выполнении исследовательских программ ЭУФЛ в CNSE намерены также принять участие японские компании Sony и Toshiba.

Следующую демонстрационную ЭУФЛ-установку компания ASML поставила в бельгийскую исследовательскую организацию IMEC , которая заключила соглашение о совместном проведении экспериментов в области ЭУФЛ с исследовательской группой IMEC и американским CNSE. Вначале исследования будут проводиться в США на Олбанском нанотехнологическом комплексе CNSE, а затем — отдельными исследовательскими центрами в зависимости от готовности к работе соответствующего оборудования.

Общая цель участников проекта — показать достоинства и практическую возможность реализации ЭУФЛ для формирования 32-нм (и ниже) рисунка наноэлектронных приборов.

Корпорация Intel , один из лидеров в разработке электронного оборудования 32-нм технологии и потенциальный потребитель ЭУФЛ-установок, продолжила исследования различных методов совершенствования существующей лазерной 193-нм литографии для использования ее в более низком топологическом размере. Не получив вовремя необходимые материалы и оборудование для ЭУФЛ, корпорация в настоящее время рассматривает данный метод для возможной реализации 22-нм технологии ориентировочно только в 2011 году.

Японская компания Toshiba на установке Imprio 250 компании Molecular Imprints Inc. (США) методом наноимпринтинга изготавливает опытные образцы с суб-20-нм разрешением при 1-нм однородности воспроизведения критических размеров. Ее достижения в этой области заставляют чипмейкеров обратить на данную технологию пристальное внимание. В настоящее время инфраструктура и возможности импринтинга достаточно развиты в производстве светодиодов и жестких дисков.