OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

LAMBDA   2.250000E-03

IS       33.570000E-15

ISR      322.400000E-15

ALPHA    311.700000E-06

VK       243.6

RD       1

RS       1

CGD      1.600000E-12

CGS      2.414000E-12

M        .3622

VTOTC   -2.500000E-03

BETATCE -.5

KF       9.882000E-18

Рис. 15.24. Выходной файл для n-канального полевого транзистора

Хотя предыдущие выпуски программного обеспечения от MicroSim использовали для создания рисунков программу Schematics вместо Capture, автоматически формируя команду .ОР в схемном файле, используемая в книге версия Capture этого не делает. Следовательно, значения параметров смещения не выводятся в выходном файле. Чтобы получить эти значения, отредактируете параметры настройки моделирования и запросите анализ параметров смещения путем проверки с опцией .OP. Выходной файл при таком запуске показан на рис. 15.25. Информация, дублирующая информацию предыдущего выходного файла, из него удалена. Убедитесь, что выходной файл соответствует графику, показывая V_DD=12 В, V_GS=–1 В, I_DD=5,328 мА.

**** 10/03/99 12:27:36 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************

** circuit file for profile: jfetchs

*Libraries:

* Local Libraries :

* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini file:

.lib nom.lib

*Analysis directives:

.OP

.PROBE

*Netlist File:

.INC "jfetch-SCHEMATIC1.net"

*Alias File:

**** INCLUDING jfetch-SCHEMATIC1.net ****

* source JFETCH

J_J1  2 10 J2N3819

V_VDD 2 0 12V

V_VGS 0 1 1V

**** RESUMING jfetch-SCHEMATIC1-jfetchs.sim.cir ****

.INC "jfetch-SCHEMATIC1.als"

**** INCLUDING jfetch-SCHEMATIC1.als ****

.ALIASES

J_J1  J1(d=2 g=1 s=0 )

V_VDD VDD(+=2 -=0)

V_VGS VGS(+=0 -=1 )

_     _(1=1)

_     _(2=2)

.ENDALIASES

**** RESUMING jfetch-SCHEMATIC1-jfetchs.sim.cir ****

.END

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С

NODE  VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

( 1) -1.0000  ( 2) 12.0000

VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME   CURRENT

V_VDD -5.328E-03

V_VGS -1.321E-12

TOTAL POWER DISSIPATION 6.39E-02 WATTS

**** JFETS

NAME  J_J1

MODEL J2N3819

ID    5.33E-03

VGS  -1.00E+00

VDS   1.20E+01

GM    5.34E-03

GDS   1.17E-05

CGS   1.83E-12

CGD   6.15E-13

Рис. 15.25. Выходной файл, использующий опцию .OР

Усилители на полевых транзисторах

В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:

JFET 3 1 2 JM

.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)

Эти строки вводят универсальный встроенный полевой транзистор JFET, для которого мы выбрали имя JM. Если мы создаем эту схему с помощью Capture, мы не можем просто выбрать компонент JFET; вместо этого мы должны выбрать один из доступных компонентов с конкретным именем. Затем можно изменить параметры модели так, чтобы она удовлетворяла нашим требованиям.

Начните новый проект с именем Jfetampl и введите схему, показанную в рис. 11.7, используя компоненты VAC (для V_i), C (для С_b и C_s), R (для Rg, Rd и  Rs), J2N3819 (для полевого транзистора) и VDC (для VDD). Задайте значения компонентов, которые использовались ранее. Схема, которую вы должны получить, показана на рис. 15.26. Полевой транзистор, используемый на рис. 11.7, описывается в PSpice командой

.MODEL JM NJF (RD=10 RS = 10 VTO=-3V BETA=0.2m)

Рис. 15.26. Усилитель на полевом транзисторе