Шаг за шагом. Транзисторы

Еще каких-нибудь десять лет назад, когда транзисторов было очень мало, буквально пять — десять типов, их нетрудно было знать наперечет. Разобраться же в нынешнем ассортименте полупроводниковых приборов уже не так просто. Чтобы облегчить эту задачу, можно прежде всего разделить все транзисторы на три группы малой мощности (наибольшая выходная мощность около 0,1 вт), средней мощности (около 0,5 вт) и большой (более 1,5 вт) мощности (рис. 93). Часто применяют еще более простое деление транзисторов: на мощные (2 вт и более) и маломощные (около 0,1 вт). На эти три или даже две группы можно разделить все многообразие транзисторов широкого применения.

Рис. 93.Все многообразие транзисторов можно разбить на несколько основных групп.

Внутри каждой группы целесообразно разделить транзисторы на низкочастотные (сплавные) и высокочастотные (диффузионные). И, наконец, для порядка следует ввести еще одно разделение транзисторов — в зависимости от их структуры (р-n-р или n-р-n) и исходного материала (германий или кремний). Как видите, получилось сравнительно небольшое число основных групп, и среди них четыре главные группы — маломощные транзисторы ВЧ и НЧ и мощные транзисторы ВЧ и НЧ. Это, конечно, грубое деление, не учитывающее многих важных показателей, однако же внутри каждой из четырех групп даже разные транзисторы очень часто могут заменять друг друга.

О принадлежности транзистора к той или иной основной группе говорит само его название (исключение составляют лишь довольно старые транзисторы, такие, как П4).

В названии транзисторов, разработанных до 1964 года, первая буква «П» происходит от слова «плоскостной» и относится ко всем без исключения транзисторам. Затем следуют цифры, значение которых указано в таблице 8. Пользуясь этой таблицей, можно, например, определить, что П403 — это маломощный германиевый высокочастотный (диффузионный) транзистор, П201 — мощный германиевый низкочастотный (сплавной) транзистор, П501 — маломощный кремниевый высокочастотный транзистор и т. д. Аналогично формируются названия приборов, созданных после 1964 года (таблица 9).

Таблица 8

Обозначения некоторых типов полупроводниковых приборов, выпускавшихся до 1964 года. (Для некоторых приборов, выпускаемых после 1964 года, и по сей день сохраняются старые обозначения.)

Первый элемент обозначения: буква Д — диоды, буква П (или МП) — транзисторы. Второй элемент — цифра, обозначающая конкретный тип прибора. Третий элемент обозначения — буква — разновидность приборов данного типа, имеющая некоторое отличие в параметрах. Ниже приведены значения некоторых цифр во втором элементе обозначения.

Диоды:

Точечные германиевые… от 1 до 100

Точечные кремниевые… от 101 до 200

Плоскостные кремниевые… от 201 до 300

Плоскостные германиевые… от 301 до 400

Стабилитроны… от 801 до 900

Варикапы… от 901 до 1000

Туннельные диоды… от 1001 до 1100

Транзисторы:

Маломощные германиевые низкочастотные… от 1 до 100

Маломощные кремниевые низкочастотные… от 101 до 200

Мощные германиевые низкочастотные… от 201 до 300

Мощные кремниевые низкочастотные… от 301 до 400

Маломощные германиевые высокочастотные… от 401 до 500

Маломощные кремниевые высокочастотные… от 501 до 600

Мощные германиевые высокочастотные… от 601 до 700

Таблица 9