Шипение снарядов

Подобный взрыватель и был нужен для боеприпаса разминирования, но перегрузка в канале артиллерийского ствола достигает 13000, а при выстреле из гранатомета — 6000, так что приведение батарей в действие во втором случае не гарантировалось. Кроме того, чтобы исключить возможность подрыва снаряда в опасной близости от орудия, взрыватель взводится с задержкой — небольшой для условий артиллерийской стрельбы, но сравнимой с характерным подлетным временем реактивной гранаты. И, наконец, артиллерийскому взрывателю цельнометаллический корпус снаряда служит элементом антенны, а сделать таким корпус ЭМБП нельзя, так как станет невозможным выход РЧЭМИ. Все эти проблемы можно было решить, но разработчики взрывателей заявили: необходимо создание нового изделия, что займет не один год. Это была обоснованная позиция, я вновь посетил ГРАУ, где был сочувственно выслушан, но проинформирован: «Решение принято не на нашем с тобой уровне, машина запущена, и ее не остановить». Базилевич разделял мои опасения, но считал, что противоминный вариант «рассосется». Дальнейшие события подтвердили его правоту.

Первоочередная реализация противоминного варианта была нежелательной потому, что именно от первого образца всегда ожидают наглядной демонстрации эффективности нового оружия. Поскольку минные поля могли состоять из различных, в том числе механических мин, возможны были подрывы техники, преодолевающей «разминированные» излучением проходы. Нареканий (пусть несправедливых) в подобных случаях не избежать.

ЭМБП могли «прозвенеть» не при разминировании, а там, где роль электроники витальна, то есть в маневренных видах боя. Если мины выходили из стоя на несколько минут, то совершенно иные — в сотни миллисекунд — длительности ослепления необходимы для срыва атаки ракеты класса «воздух-воздух». Плотности энергии РЧЭМИ, для такого применения требуются тоже меньшие. Еще более ценно, что, в отличие от зрелищно разлетающихся в разные стороны от самолета инфракрасных ложных целей (рис. 4.54), РЧЭМИ эффективно против ракет с любым принципом наведения, что тоже было подтверждено. Кроме уже продемонстрированного «Атропусом» преодоления активной защиты танка, можно было привести и другие примеры боевых ситуаций, в которых возможности ЭМБП проявились бы вполне:

• оборона корабля от низколетящей ракеты (при автоматической стрельбе малокалиберными ЭМБП в упрежденную точку моря перед ракетой с последующим короткозамедленным подрывом рикошетирующих снарядов, что сделало бы ракету «слепой»);

• прикрытие боевых блоков МБР на конечном участке траектории (требуемая длительность временного ослепления канала подрыва противоракеты — десятки миллисекунд);

• защита от самоприцеливающихся боеприпасов в фазе поиска ими цели.

Рис. 4.54

Электромагнитные боеприпасы могли бы решать задачи защиты самолетов от ракетных атак, подобно тому, как это делается при применении ложных инфракрасных целей (слева) или довольно громоздких, сковывающих маневр буксирующих их самолетов, генераторов радиочастотного излучения (справа)

Иными словами, рациональным эффектом применения ЭМО является функциональное поражение цели на такое время, чтобы она не смогла выполнить свою боевую задачу. Это время зависит от длительности цикла обработки информации целью. Эта длительность может служить масштабом эффектов воздействия:

— короткое последействие — перегрузка электронных цепей в течение времени, равного длительности одного или немногих циклов обработки информации — незначительно влияет на вероятность выполнения целью боевой задачи ввиду того, что выработка команд производится по накоплении информации за довольно большое число циклов;

— временное ослепление — перегрузка в течении времени, значительно превышающего длительность цикла обработки информации, существенно снижающая вероятность выполнения целью боевой задачи, как это было проиллюстрировано на примере с САЗ;

— стойкий отказ.

Механизм воздействия РЧЭМИ на полупроводниковые приборы к моменту написания этой книги не вполне ясен. Попытка его описания сделана Л. Алтджильберсом, указавшим, что при протекании импульсных токов возможны следующие эффекты:

— утрата диодами выпрямительных функций;

— интермодуляционные искажения;

— «запирание» микросхем при накоплении в них объемного заряда;

— тепловой пробой (при воздействии сравнительно длительных (микросекундных) импульсов);

— электрический пробой (при воздействии наносекундных и более коротких импульсов).