Развитие полупроводниковой техники пошло не только по пути создания новых приборов — новых диодов и транзисторов, — но и по пути создания в одном полупроводниковом кристалле целых электронных блоков. Представьте себе схему триггера, мультивибратора или простейшего усилителя НЧ с резистором в нагрузке. Из каких элементов состоят эти схемы? В них входят транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и соединительные провода. А все эти элементы можно изготовить из полупроводникового материала. Чтобы сделать в кристалле конденсатор, нужно создать в нем две полупроводниковые зоны с высокой проводимостью, а между ними — участок полупроводника с низкой проводимостью. Дозируя примеси, можно получить в кристалле и резистор с нужным сопротивлением или соединительную цепь с очень малым сопротивлением. И, конечно же, в полупроводниковом кристалле можно получить диод и транзистор.
А теперь представьте себе, что все эти элементы с помощью какой-то фантастической технологии созданы в одном кристалле, причем в таких количествах, с такими данными и при таком взаимном соединении, что в итоге образовалась нужная нам схема усилителя или генератора. Это значит, что в одном кристалле мы получили целый электронный блок, получили так называемую твердую интегральную схему.
Технология, которую мы назвали фантастической, в действительности существует. И с ее помощью ученые и инженеры уже научились создавать в небольшом кристаллике самые различные твердые схемы.
Как видите, финиш нашего долгого путешествия можно одновременно считать и стартом в новые интересные области — в область более сложных и совершенных транзисторных схем, в область более глубокого их исследования и в область новых направлений полупроводниковой техники и технологии. Однако продвижение вперед по всем этим интересным направлениям— это уже новые задачи, которые в этой книге решаться не будут. Потому что задача этой книги состояла лишь в том, чтобы помочь читателю сделать трудный первый шаг в транзисторную электронику. Первый шаг, но, хочется верить, не последний.
Рисунки
[27, 42-45, 97, 104, 110-113, 118, табл.10]
Рис. 27.
Рис. 42.
Рис. 43.
Рис. 44.
Рис. 45.
На схеме 9 R10 и R13 по 1,5 ком; R11 — 20 ком.
Рис. 97.
Рис. 104.
Рис. 110.
Рис. 111.
Рис. 112.
Рис. 113.
Рис. 118.
Примечания:
1. Жирным шрифтом выделены названия транзисторов обратной проводимости (
2. Величина тока, указанная жирным шрифтом, — это максимально допустимый импульсный ток. Средний ток в несколько раз меньше.
3. Величина предельно допустимой мощности, указанная над чертой, соответствует случаю использования транзистора с радиатором, под чертой — без радиатора.
4. Большинство транзисторов, имеющих схему выводов
5. Во многих случаях в таблицах приводятся приближенные параметры, с достаточной, однако, точностью для радиолюбительской практики.
* * *