Полупроводники являются основными компонентами электронного оборудования. Наиболее часто используются полупроводниковые
Полупроводники имеют следующие преимущества:
• Малые размеры и вес.
• Низкую потребляемую мощность при низком напряжении.
• Высокий коэффициент полезного действия.
• Высокую надежность.
• Способность работать в сложных условиях.
• Немедленно начинают работать при включении питания.
• Недорогое массовое производство.
Полупроводники имеют следующие недостатки:
• Высокую восприимчивость к изменениям температуры.
• Для стабилизации режима необходимы дополнительные компоненты.
• Легко повреждаются (при превышении допустимых пределов по току или напряжению, при перемене полярности питающего напряжения, от перегрева при пайке).
Проводимость полупроводниковых материалов лежит между проводимостью изоляторов и проводников. Чистыми полупроводниковыми элементами являются углерод (С), германий (Ge) и кремний (Si). Наиболее подходят для применения в электронике германий и кремний.
Германий — это хрупкий серовато-белый элемент, открытый в 1886 году. Порошкообразную двуокись германия получают из золы некоторых сортов угля. Из этого порошка получают твердый чистый германий.
Кремний был открыт в 1823 году. Он широко распространен в земной коре в виде белого или иногда бесцветного соединения — двуокиси кремния. Двуокисью кремния богат песок, кварц, агат и кремень. Из двуокиси кремния химическим путем получают чистый кремний. Кремний является наиболее широко используемым полупроводниковым материалом.
Полупроводниковый материал после получения должен быть модифицирован, чтобы он приобрел качества, необходимые для полупроводниковых устройств.
Как описано в
Рис. 19-1.
Первая орбита содержит два электрона, вторая орбита восемь, а внешняя орбита или валентная оболочка содержит четыре электрона. Валентность — это показатель способности атома присоединять или отдавать электроны, она определяет электрические и химические свойства атома. На рис. 19-2 показана упрощенная схема атома кремния, на которой изображено только четыре электрона на валентной оболочке.
Рис. 19-2.
Материалы, которым необходимы электроны для заполнения их валентной оболочки, являются нестабильными и относятся к
Рис. 19-3.
Ковалентная связь — это процесс совместного использования валентных электронов различными атомами, приводящий к образованию кристалла.
Каждый атом в такой кристаллической структуре имеет четыре своих собственных электрона и четыре совместно используемых электрона от четырех других атомов, а всего — восемь валентных электронов. Ковалентная связь ввиду своей стабильности не может поддерживать электрическую активность.
При комнатной температуре кристаллы чистого кремния являются плохими проводниками. Они ведут себя, как изоляторы. Однако если кристаллу сообщить тепловую энергию, то некоторые электроны получат эту энергию и переместятся на более высокую орбиту, нарушая ковалентную связь. Это позволяет кристаллу проводить ток.
Кремний, подобно другим полупроводниковым материалам, имеет отрицательный температурный коэффициент сопротивления, потому что при повышении температуры его сопротивление уменьшается. Сопротивление кремния падает в два раза при каждом повышении температуры на б градусов Цельсия.