Большая Советская Энциклопедия (ФО)

  Наибольшее распространение получили полимерные Ф. м. на основе органических соединений (спиропиранов, дитизонатов металлов и др.), фотохромные силикатные стекла, содержащие микрокристаллы галогенидов серебра (AgBr, AgCl и др.), активированные кристаллы щёлочно-галоидных соединений (например, KCl, KBr, NaF), солей и окислов щёлочноземельных металлов с добавками (например, CaF₂ /La, Ce; SrTiO₃ /Fe + Mo).

  Применение Ф. м. в фотографии определяется наличием у них таких свойств, как исключительно высокая разрешающая способность (теоретически минимальный элемент изображения может иметь размер порядка размера молекулы или элементарной ячейки кристалла, т. е. менее одного нм ), возможность получения изображения непосредственно под действием света, т. е. практически в реальном масштабе времени (время записи ограничивается длительностью элементарных фотопроцессов и может быть менее 10^-8 сек ), изменение в широких пределах времени хранения записанной информации (от 10^-6 сек до нескольких месяцев и даже лет), возможность перезаписи и исправления изображения с помощью теплового или светового воздействия. В зависимости от типа Ф. м. можно получать негативное или позитивное многоцветное изображение под действием излучения в диапазоне от рентгеновского до микроволнового.

  Светочувствительность Ф. м. на 4–7 порядков ниже, чем у галогенсеребряных фотоматериалов, поэтому особый интерес представляет применение Ф. м. в лазерных системах, обеспечивающих запись и обработку оптической информации в мощных потоках излучения в реальном масштабе времени.

  Помимо использования в традиционных областях фотографии, Ф. м. находят применение в системах отображения динамической информации, скоростной оптической обработки оптических и электрических сигналов, в качестве элементов оперативной памяти ЭВМ (где быстродействие и многократность использования Ф. м. особенно важны), в системах микрофильмирования и микрозаписи, в голографии (где особенно существенно высокое разрешение Ф. м.), при фотомаскировании в цветной фотографии и печати (где с помощью Ф. м. можно создавать корректирующие спектральные или контурные маски в момент экспонирования или печатания), а также в оптоэлектронике , дозиметрии , актинометрии , в оптических затворах, автоматически изменяющих пропускание света в зависимости от уровня освещённости , и много др.

  Лит. см. при ст. Фотохромизм .

  В. А. Барачевский, Л. А. Картужанский.

Фотохроника

Фотохро'ника, хроника текущей жизни, отражённая в фотографиях, помещаемых в газетах, журналах или на специальных стендах (например, Ф. ТАСС). Обычно к Ф. относят фотографические изображения, не всегда заключающие в себе эстетическое содержание (в отличие от произведений документального фотоискусства ) и наделённые преимущественно историко-познавательной ценностью.

Фотохронометраж

Фотохронометра'ж,см. Хронометраж .

Фотоцинкография

Фотоцинкогра'фия, способ изготовления оригинальных (первичных) печатных форм высокой печати путём фотографического переноса изображения на цинковую пластину (с последующим её травлением). Ф. больше известна под название цинкографии .

Фотоэдс

Фотоэдс, электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике при поглощении в нём электромагнитного излучения (фотонов). Появление Ф. (фотовольтаический эффект) обусловлено пространственным разделением генерируемых излучением носителей заряда (фотоносителей). Разделение фотоносителей происходит в процессе их диффузии и дрейфа в электрическом и магнитном полях из-за неравномерной генерации, неоднородности кристалла, воздействия внешнего магнитного поля, одноосного сжатия и др.

  Объёмная Ф. в однородном полупроводнике, обусловленная неодинаковой генерацией в нём фотоносителей, называется диффузионной, или фотоэдс Дембера. При неравномерном освещении полупроводника или облучении его сильно поглощающимся (и быстро затухающим в глубине кристалла) излучением концентрация фотоносителей велика вблизи облучаемой грани и мала или равна нулю в затемнённых участках. Фотоносители диффундируют от облучаемой грани в область, где их концентрация меньше, и если подвижности электронов проводимости и дырок неодинаковы, в объёме полупроводника возникает пространственный заряд, а между освещенным и затемнённым участками – фотоэдс Дембера. Величина этой Ф. между двумя точками полупроводника 1 и 2 может быть вычислена по формуле:

,