Большая Советская Энциклопедия (ТЕ)

Теневой электронный микроскоп

Тенево'й электро'нный микроско'п, см. Электронный микроскоп .

Теневыносливые растения

Теневыно'сливые расте'ния, растения (главным образом древесные, многие травянистые под пологом лиственных пород, тепличные и др.), выносящие некоторое затенение, но хорошо развивающиеся и на прямом солнечном свету. С возрастом, а также в высоких широтах, горах, в более сухом климате теневыносливость понижается. Физиологически Т. р. характеризуются относительно невысокой интенсивностью фотосинтеза . Листья Т. р. имеют ряд анатомо-морфологических особенностей: слабо дифференцирована столбчатая и губчатая паренхима, клетки содержат небольшое число (10—40) хлоропластов, величина поверхности которых колеблется в пределах 2—6 см ² на 1 см ² площади листа. Ряд растений под пологом леса (например, копытень, сныть и др.) ранней весной, до распускания листьев древесного яруса, физиологически светолюбивы, а летом, при сомкнувшемся пологе, — теневыносливы. Сравни Светолюбивые растения .

Тенезмы

Тене'змы (греч. teinesmós — тщетный позыв, от téino — напрягаю), болезненные ложные позывы на дефекацию или мочеиспускание. Обусловлены тоническим сокращением мышц прямой кишки или мочевого пузыря; одновременное спастическое сокращение сфинктеров препятствует опорожнению органа. Т. наблюдаются при дизентерии , патологических процессах в прямой кишке (воспаление, трещины слизистой оболочки заднего прохода, геморрой , опухоль) или в мочевом пузыре и соседних с ним органах (цистит , простатит ), при заболеваниях спинного мозга (миелит , спинная сухотка ). Лечение: устранение основной причины, вызывающей появление Т.; сидячие ванны, микроклизмы (настой ромашки, вазелиновое масло), свечи с антиспастическими препаратами.

Теней эффект

Тене'й эффе'кт, возникновение характерных минимумов интенсивности (теней) в угловом распределении частиц, вылетающих из узлов решётки монокристалла . Т. э. наблюдается для положительно заряженных тяжёлых частиц (протонов, дейтронов, более тяжёлых ионов). Тени образуются в направлениях кристаллографических осей и плоскостей. Появление тени в направлении кристаллографической оси (осевая тень) обусловлено отклонением частиц, первоначально вылетевших в направлении этой оси, внутриатомным электрическим полем ближайших к излучающему узлу атомов, расположенных в той же цепочке (рис. 1 ). Распределение относительной интенсивности частиц у в области тени изображено на рис. 2 . Угловые размеры тени определяются соотношением:

,

где 2x ₀ — полуширина тени, eZ ₁ и Е — заряд и энергия движущейся частицы, eZ ₂ — заряд ядра атома кристалла, l — расстояние между соседними атомами цепочки. Интенсивность g потока частиц в центре тени для совершенного кристалла (без дефектов) примерно в 100 раз меньше, чем на периферии.

  Т. э. был обнаружен в 1964 независимо А. Ф. Тулиновым (СССР) и Б. Домеем и К. Бьёрквистом (Швеция), причём частицы, в пучке которых наблюдались тени, в этих работах имели различное происхождение. В экспериментах Тулинова это были продукты ядерных реакций на ядрах кристаллической мишени под действием ускоренных частиц. Домей и Бьёрквист вводили a-радиоактивные ядра в узлы кристаллической решётки (методом ионной имплантации) и наблюдали тени в угловом распределении вылетающих из кристалла a-частиц. Первый метод оказался более универсальным, и практически все последующие эксперименты проводились по его схеме. В частности, с помощью этого метода удалось наблюдать плоскостные тени, то есть области пониженной интенсивности частиц в направлении кристаллографических плоскостей, имеющие форму прямых линий. При регистрации плоскостных теней в качестве детектора часто используют ядерные фотографические эмульсии , так как с их помощью можно регистрировать теневую картину в большом телесном угле. На эмульсии возникает сложная теневая картина кристалла, называемая ионограммой (рис. 3 ).

  Расположение пятен и линий на ионограмме зависит от структуры кристалла и геометрических условий опыта. Распределение интенсивности в пределах одной тени (осевой или плоскостной) определяется многими факторами (состав и структура кристалла, сорт и энергия движущихся частиц, температура кристалла, количество дефектов в кристалле). Пятна и линии на ионограмме по своей природе принципиально отличны от пятен и линий, получаемых при изучении кристалла дифракционными методами (см. Рентгеновский структурный анализ , Электронография , Нейтронография ). Из-за малой величины длины волны де Бройля для тяжёлых частиц дифракционные явления на образование теней практически не влияют.