Нанотехнологии. Правда и вымысел

Создание дендримеров — один из примеров технологии «снизу вверх», когда объемные конструкции создаются из блоков посредством последовательной сборки, аналогично детскому конструктору. При этом размер и форму конечной конструкции можно очень точно задать при химическом синтезе. Дендримеры получают из мономеров, проводя последовательную конвергентную и дивергентную полимеризацию (в том числе методы пептидного синтеза), чем обеспечивается конфигурация ветвления.

Классическим строительным материалом для синтеза (создания) дендримеров являются полиамидоамин и лизиновая аминокислота. При этом имеется практическая возможность для задания и контроля размера и свойств поверхности. Регулирование и получаемая стабильность свойств дендримеров открывают перспективы их использования в качестве переносчиков лекарственных и косметических средств.

Для этого дендримеры формируют в присутствии необходимого медикаментозного вещества. В результате «полезные молекулы» образуют комплексы с поверхностью дендримера или, встраиваясь между полимерными цепями, заполняют многочисленные имеющиеся полости. Синтезированный таким способом дендример становится лекарственной нанокапсулой, способной к транспортировке данного препарата внутри живого организма. Заполнив полость дендримера веществом с радиоактивной или иной меткой, полученные нанокапсулы можно использовать в качестве диагностического средства при клинических исследованиях и лечении различных заболеваний.

Несколько слов стоит сказать о квантовых точках. Известны два основных способа их получения: коллоидный синтез, осуществляемый смешиванием предшественников в реакторе, и эпитаксия — ориентированное выращивание (копирование) кристаллов на поверхности подложки.

Коллоидный синтез может быть реализован при различных температурах и средах (в инертной атмосфере, в среде органических растворителей, в водном растворе и т. д.). Для повышения эффективности процесса часто используются металлоорганические предшественники или молекулярные кластеры, облегчающие «зародышеобразование» квантовых точек.

Наиболее часто применяют высокотемпературный химический синтез, осуществляемый в инертной атмосфере путем нагревания неорганометаллических предшественников, растворенных в высококипящих органических растворителях. Для этого на ядре (атомарной заготовке) из узкозонного полупроводника (например, CdSe) вначале осаждается оболочка из широкозонного полупроводника (например, ZnS), а затем на поверхности формируется защитная органическая оболочка из адсорбированных органических молекул.

В результате получаются нанокристаллы с поверхностью, защищенной слоем адсорбированных поверхностно-активных органических молекул. Этот метод (коллоидный синтез) обеспечивает получение стабильных по размеру и свойствам (высоким квантовым выходом флуоресценции) квантовых точек. Из-за наличия защитной гидрофобной органической оболочки коллоидные квантовые точки легко растворяются в неполярных растворителях (а при определенной ее модификации — в спиртах и воде).

Данная технология позволяет получать квантовые точки в субкилограммовых объемах, что делает ее привлекательной для их массового производства.

Метод эпитаксии — формирование наноструктур на поверхности другого материала (подложке) — требует уникального дорогостоящего оборудования. При этом получаемые квантовые точки связаны с подложкой и нуждаются в технологии отделения или использования вместе с подложкой. В связи с этим данный метод плохо реализуется на промышленном уровне.

По сообщениям сайта нанотехнологического сообщества России «Нанометр» (http://www.nanometer.ru), в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе в августе 2009 года был закончен монтаж уникального двухреакторного ростового комплекса молекулярно-пучковой эпитаксии STE3526 (рис. 28).

Двухреакторный комплекс STE3526 разработан и создан отечественным предприятием ЗАО «Научное и технологическое оборудование» специально для выращивания гибридных наногетероструктур с учетом последних достижений в области молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводников в данных системах материалов.

Установка STE3526 предназначена для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований, опытно-конструкторских работ и мелкосерийного экспериментального производства эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов (типа Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) с использованием предварительно выращенных в реакторе высококачественных буферных слоев GaAs. Данный комплекс обеспечивает ультра-чистый сверх-высоковакуумный (защита от неконтролируемого загрязнения ростового интерфейса на поверхности буферного слоя GaAs) транспорт подготовленной подложки в реактор для выращивания конечных гетероструктур.

Рис. 28. Двухреакторный ростовый комплекс молекулярно-пучковой эпитаксии STE3526