| Demonstration of power inductor B-H curve
| To view results with Prove (B-H curve) :
| 1) Add Trace for B(K1)
| 2) set X-axis variable to H(K1)
| Probe x-axis unit is Oersted
| Probe y-axis unit is Gauss
|.tran .1 4
| igen0 0 1 sin (0.1amp 1Hz 0) ; Generator: starts with 0.1 amp sinewave, then
| igen1 0 1 sin(0.1amp 1Hz 1); +0.1amps, starting at 1 second
| igen2 0 1 sin(0.2amp 1Hz 2) ; +0.2 amps, starting at 2 seconds
| igen3 0 1 sin(0.8amp 1Hz 3) ; +0.4 amps, starting at 3 seconds
|RL 1 0 1ohm ; generator source resistance
| LI 1 0 20 ; inductor with 2 0 turns
|K1 LI .9999 K528T500 ; Ferroxcube torroid core
|.model K528T500 3C8 CORE (Ms = 415 .2K A=44.82 C=.4112 K=25.74)
|+ AREA=1.17 PATH = 8.49)
| options it15=C
|.probe
|.end
+
.model K3019PL_ Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area=1.38 Path=4.52)
.model KRM8PL_3C8 Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area=.630 Path = 3.84)
.model K502T300_3C8 Core (MS = 415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area=.371 Path = 7.32)
.model K528T500_3C8 Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
+ Area = 1.17 Path = 8.49)
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для мощных полевых транзисторов (MOSFET). Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Характеристики каждого компонента задавались с использованием опции Parts. Транзисторы могут также характеризоваться без использования Parts следующим образом:
LEVEL | Устанавливается равным 3 (прибор с коротким каналом) |
ТОХ | Определяется классом затвора |
L, LD, W, WD | Полагаем L=2u (вычисляется из входной емкости) |
XJ, NSUB | Отображает технологию изготовления |
IS, RD, RB | Определяется из параметра «прямое падение на диоде исток-сток» или из зависимости Idr от Vsd |
RS | Определяется из параметра Rds(on) |
RDS | Определяется из параметра или графика Idss |
VTO, UO, THETA | Определяется из семейства выходных характеристик Ids(Vds) с шагом по параметру Vgs |
ETA, VMAX, CBS | Устанавливается для нулевого эффекта |
CBD, PB, MJ | Определяется из графика зависимости емкости от Vds |
RG | Определяется из параметров времени нарастания и времени спада или из временных диаграмм |
CGSO, CGDO | Определяется из заряда затвора задержки включения и выключения и времени нарастания |
M17 15 23 7 7 IRF150