203.
Во многих электрических приборах применяется проволочная решётка для предохранения некоторых частей прибора от электризации через индукцию. Мы знаем, что если проводник полностью окружён металлическим сосудом, находящимся под тем же потенциалом, что и проводник, то никакое заряженное тело вне сосуда не может навести на поверхности проводника никакого заряда. Однако проводник, полностью окружённый металлом, становится невидимым, и поэтому в некоторых случаях оставляют отверстие, закрываемое решёткой из тонких проволочек. Рассмотрим, как сказывается такая решётка на уменьшении эффекта электрической индукции. Мы примем, что такая решётка состоит из ряда параллельных проволок, расположенных в одной плоскости через равные интервалы. Диаметр проволок будем считать много меньше расстояния между ними, а расстояние от плоскости экрана до ближайших заряженных тел с одной стороны решётки и до защищаемого проводника с другой стороны будем считать существенно больше расстояния между соседними проволочками.204.
Потенциал на расстоянии 𝑟' от оси прямой проволоки бесконечной длины с зарядом λ на единицу длины равен𝑉
=
-2λ ln 𝑟'+𝐶
.
(1)
Мы можем записать это выражение в полярных координатах относительно оси, находящейся на единичном расстоянии от проволочки. При этом мы должны положить
𝑟'²
=
1-2𝑟 cos θ+𝑟²
.
(2)
Если принять, что ось отсчёта также заряжена с линейной плотностью λ', то
𝑉
=
-λ ln(1-2𝑟 cos θ+𝑟²)
-2λ' ln 𝑟+𝐶
.
(3)
Если положить, что
𝑟
=
𝑒
(2π𝑦)/𝑎
,
θ
=
2π𝑥
𝑎
,
(4)
то, согласно теории сопряжённых функций, величина
𝑉
=
-λ ln(1-2𝑒
(2π𝑦)/𝑎
cos(2π𝑥)/𝑎+𝑒
(4π𝑦)/𝑎
)
-
-
2λ'ln 𝑒
(2π𝑦)/𝑎
+𝐶
(5)
(𝑥, 𝑦 - прямоугольные координаты) будет значением потенциала, обусловленного бесконечным рядом тонких проволочек, параллельных 𝑧, расположенных в плоскости 𝑥𝑧 и проходящих через точки оси 𝑥, для которых 𝑥 кратно 𝑎, и плоскостями, перпендикулярными оси 𝑦.
Каждая из этих проволочек заряжена с линейной плотностью λ.
Член с λ' указывает на электризацию, вызывающую постоянную силу 4πλ'/𝑎 в направлении 𝑦.
Форма эквипотенциальных поверхностей и силовых линий при λ'=0 дана на рис. XIII. Вблизи проволочек эквипотенциальные поверхности имеют почти цилиндрическую форму, так что мы можем считать решение приблизительно верным и в том случае, когда проволочки представляют собой цилиндры, диаметр которых конечен, но мал по сравнению, с расстоянием между ними.
Вдали от проволочек эквипотенциальные поверхности становятся всё ближе и ближе к плоскостям, параллельным плоскости решётки.
Если положить в уравнении 𝑦=𝑏
1 где 𝑏1 много больше 𝑎, то приближённо𝑉
1
=
-
4π𝑏1
𝑎
(λ+λ')
+
𝐶
.
(6)
Если далее положить 𝑦=-𝑏
2, где 𝑏2 положительно и много больше 𝑎, то приближённо𝑉
2
=
4π𝑏2
𝑎
λ'
+
𝐶
.
(7)
Если 𝑐 - радиус проволочек решётки, причём 𝑐 много меньше 𝑎, то потенциал самой решётки можно найти, приняв, что поверхность проволочки совпадает с эквипотенциальной поверхностью, пересекающей плоскость 𝑥𝑧 на расстоянии 𝑐 от оси 𝑧. Поэтому для нахождения потенциала решётки положим 𝑥=𝑐 и 𝑦=0, откуда
𝑉
=
-2 ln 2sin
π𝑐
𝑎
+
𝐶
.
(8)
205.
Мы получили теперь выражения, описывающие электрическое состояние системы, состоящей из проволочной решётки с диаметром проволок, много меньшим расстояния между ними, и двух проводящих поверхностей по обе стороны от решётки, находящихся на расстояниях, много больших расстояния между проволочками.Поверхностная плотность σ
1 на первой плоскости находится из уравнения (6):4πσ
1
=
𝑑𝑉1
𝑑𝑏1
=
-
4π
𝑎
(λ+λ')
,
(9)
а на второй плоскости - из уравнения (7):
4πσ
2
=
𝑑𝑉2
𝑑𝑏2
=
4π
𝑎
λ'
.
(9)
Если положить
α
=
-
𝑎
2π
ln
⎛
⎜
⎝
2 sin
π𝑐
𝑎
⎞
⎟
⎠
(11)
и исключить 𝑐, λ и λ' из уравнений (6), (7), (8), (9), (10), то получим
4πσ
1
⎛
⎜
⎝
𝑏
1
+
𝑏
2
+
𝑏1
𝑏2α
⎞
⎟
⎠
=
𝑉
1
⎛
⎜
⎝
1
+
𝑏2
α
⎞
⎟
⎠
-
𝑉
2
-
𝑉
𝑏2
α
,
(12)
4πσ
2
⎛
⎜
⎝
𝑏
1
+
𝑏
2
+
𝑏1
𝑏2α
⎞
⎟
⎠
=
-
𝑉
1
+
𝑉
2
⎛
⎜
⎝
1
+
𝑏1
α
⎞
⎟
⎠
-
𝑉
𝑏1
α
.
(13)
Для бесконечно тонких проволочек α становится бесконечным, члены, где α входит в знаменатель, исчезают, так что мы приходим к случаю двух параллельных пластин без всякой решётки.
Если решётка находится в металлическом контакте с одной из плоскостей, скажем с первой, то 𝑉=𝑉
1 и правая часть уравнения для σ1 становится равной 𝑉1-𝑉2. Следовательно, плотность σ1, наводимая на первой плоскости при наличии решётки, относится к значению плотности, которая наводилась бы при отсутствии решётки, и при второй плоскости, поддерживаемой при том же потенциале, как 1 к 1+[𝑏1𝑏2/{α(𝑏1+𝑏2)}].Мы пришли бы к той же величине уменьшения электрического влияния первой поверхности на вторую при наличии решётки, если бы считали, что решётка связана со второй поверхностью. Это ясно из того, что 𝑏
1 и 𝑏2 входят в это выражение одинаково. Это непосредственно следует также из теоремы п. 88.Индукция одной заряженной плоскости на другую через решётку получается такая же, что и при удалённой решётке, но на расстоянии между плоскостями, увеличенном с 𝑏
1+𝑏2 до 𝑏1+𝑏2+(𝑏1𝑏2/α).